[发明专利]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

一有源区域于一半导体基板中；以及

一第一场效应晶体管设置于该有源区域中，其中该场效应晶体管包括：

一第一栅极；

一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该 第一栅极，该第一源极通过一第一接触直接电性连接至一电源线；以及

一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该 栅极；以及

一隔离结构设置于该有源区域中，其中该隔离结构包括：

一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及

一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该 隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处，且该隔离源极通过一第 二接触直接电性连接至该电源线。

2.如权利要求1所述的集成电路，还包括一第二场效应晶体管形成于该 有源区域中，且设置于邻接该隔离结构，其中该第二场效应晶体管包括：

一第二栅极；

一第二源极形成于该有源区域中，且夹置于该隔离源极与该第一栅 极之间；以及

一第二漏极形成于该有源区域中，且处于位置使得该第二栅极夹置 于该第二源极与该第二漏极之间。

3.如权利要求1所述的集成电路，还包括一第二场效应晶体管形成于该 有源区域中，且设置于邻接该隔离结构，其中该第二场效应晶体管包括：

一第二栅极设置于邻接该隔离源极；以及

一第二漏极形成于该有源区域中，且处于位置使得该第二栅极夹置 于该隔离源极与该第二漏极之间；

其中该隔离源极的配置功用作为该第二场效应晶体管的一源极。

4.一种集成电路，包括：

一有源区域于一半导体基板中；以及

一第一集成电路胞形成于该有源区域中，该第一集成电路胞定义出一第 一边界和一第二边界，其中该第一集成电路胞包括：

至少一场效应晶体管具有一第一源极，设置于该第一边界上及被一电源 线施以偏压；一第一栅极设置于该半导体基板上，邻接该第一源极；以及一 第一漏极处于位置使得该第一栅极夹置于该第一源极与该第一漏极之间；以 及

一第一隔离结构包括：

一第一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及

一第一隔离源极形成于该第二边界上，且邻接该第一隔离栅极使得 该第一集成电路胞具有一第一源极和该第一隔离源极对称地设置于该第一 边界与该第二边界上，其中该第一隔离源极被该电源线施以偏压。

5.如权利要求4所述的集成电路，还包括一第二集成电路胞形成于该有 源区域中，且邻接该第一集成电路胞，其中该第二集成电路胞定义出一第三 边界和一第四边界，该第三边界与该第二边界重叠，该第二集成电路胞包括：

至少一场效应晶体管具有一第二源极设置于该第三边界上；一第二 栅极设置于该半导体基板上，邻接该第二源极；以及一第二漏极处于位置使 得该第二栅极夹置于该第二源极与该第二漏极之间；以及

一第二隔离结构包括：

一第二隔离栅极设置于邻接该第二漏极；以及

一第二隔离源极形成于该第四边界上，且邻接该第二隔离栅极使得 该第二集成电路胞具有该第二源极和该第二隔离源极对称地设置于该第三 边界与该第四边界上。

6.如权利要求5所述的集成电路，还包括一第三集成电路胞形成于该有 源区域中，且邻接该第一集成电路胞，其中该第三集成电路胞定义出一第五 边界和一第六边界，该第六边界与该第一边界重叠，该第三集成电路胞包括：

至少一场效应晶体管具有一第三源极设置于该第五边界上；一第 三栅极设置于该半导体基板上，邻接该第三源极；以及一第三漏极处于位置 使得该第三栅极夹置于该第三源极与该第三漏极之间；以及

一第三隔离结构包括：

一第三隔离栅极设置于邻接该第三漏极；以及

一第三隔离源极形成于该第六边界上，且邻接该第三隔离栅极使得 该第三集成电路胞具有该第三源极和该第三隔离源极对称地设置于该第五 边界与该第六边界上。