[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200910134055.0 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101577302A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;邱文智;余佳霖;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，包括：
一基底；
一多结晶层，位于该基底上，该多结晶层含有硅；
一第一接触层，位于该多结晶层上；
一活性层，位于该第一接触层上；以及
一第二接触层，位于该活性层上。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该多结晶层包括多晶硅。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该多结晶层为导电性。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一接触层包括第III族氮化物。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其中该多结晶层包括Si1-xGex。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基底包括硅。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基底包括导电材料。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基底包括非导电材料。
9.一种发光二极管，包括：
一基底；
一第一层，位于该基底上，该第一层包括导电多结晶材料；
一第一接触层，位于该第一层上；
一活性层，位于该第一接触层上；以及
一第二接触层，位于该活性层上，
其中该导电多结晶材料包括硅。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其中该第一层包括多晶硅。
11.如权利要求9所述的发光二极管，其中该第一接触层包括第III族氮化物。
12.如权利要求9所述的发光二极管，其中该基底包括导电材料。
13.如权利要求9所述的发光二极管，其中该基底包括非导电材料。
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