[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体基板，具有一第一表面区域与一第二表面区域，其中该第一表面区域的表面晶向不同于该第二表面区域的表面晶向；

一半导体元件，形成于该第一表面区域的一表面；以及

一第三族氮化层，覆盖该第二表面区域，其中该第三族氮化层未延伸覆盖该第一表面区域。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该半导体元件包括一互补式金属氧化物半导体元件。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其中该金属氧化物半导体元件为一静电放电元件。

4.如权利要求2所述的集成电路结构，其中该金属氧化物半导体元件为一驱动电路。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该半导体元件包括一二极管。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一表面区域的表面晶向是选自由表面晶向(100)与表面晶向(110)所组成的族群。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第二表面区域的表面晶向为(111)。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第三族氮化层包括氮化镓。

9.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一发光二极管，覆盖该第三族氮化层。

10.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一高功率微波高电子迁移率晶体管，覆盖该第三族氮化层。

11.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片，包括：

一硅基板，表面晶向为(100)；

一第一表面区域，位于该硅基板上，其中该第一表面区域的表面晶向为(100)；

一第二表面区域，具有一上表面，位于该硅基板上，其中该第二表面区域的表面晶向为(111)；

一互补式金属氧化物半导体元件，形成于该第一表面区域的一上表面；以及

一光学元件，覆盖该第二表面区域。

12.如权利要求11所述的集成电路结构，还包括一氮化镓层，形成于该第二表面区域上。

13.如权利要求11所述的集成电路结构，还包括一发光二极管，形成于该氮化镓层上。

14.一种集成电路结构，包括：

一硅基板；

一第一表面区域，位于该硅基板上，其中该第一表面区域的表面晶向为(100)；

一第二表面区域，位于该硅基板上，其中该第二表面区域的表面晶向为(111)；

一互补式金属氧化物半导体电路，形成于该第一表面区域的一上表面；

一氮化镓层，覆盖该第二表面区域；以及

一光学元件，覆盖该氮化镓层。

15.如权利要求14所述的集成电路结构，其中该互补式金属氧化物半导体电路为一静电放电电路。