[发明专利]防止炽热头引火塞反极性的控制电路和控制方法

权利要求书

1.炽热头引火塞的用于防止反极性的控制电路(10)，具有用于触发炽热引火塞(20)的控制单元(30)，该控制单元包括第一场效应晶体管(FET1)，这个场效应晶体管在共用的电流电路(P)中和炽热引火塞(20)连接，其特征在于，设置第二场效应晶体管(FET2)，这个晶体管和第一晶体管(FET1)反向地连接，从而电流在电流电路(P)中在两个方向被闭锁，并且设置开关单元(40)，这个开关单元是用于活化第二晶体管(FET2)而设计的，从而就可在电流电路(S)的相应于炽热引火塞(20)的规定的极性的方向(D)上释放电流。

2.按照权利要求1所述的电路(10)，在该电路中这两个场效应晶体管(21、FET2)设计成相应的P型沟道或者相应的N型沟道晶体管。

3.按照权利要求1或2所述的电路(10)，在该电路中开关单元(40)，特别是在这种情况中，即当场效应晶体管(FET1、FET2)设计成N型沟道晶体管时，包括充电泵(41)。

4.按照前述权利要求1-2中的任一项所述的电路(10)，在这种电路中，设置保护单元(50)，这个保护单元是用于监控开关单元(40)和当去活化准则得到满足时用于第一场效应晶体管(FET1)的去活化。

5.按照权利要求4所述的电路(10)，在该电路中，当开关单元(40)的电特性参数的活化数值小于或者等于这个参数的规定的极限值时去活化原则得到满足。

6.按照权利要求5所述的电路(10)，在这种电路中，这个电特性参数是电压。

7.按照权利要求6所述的电路(10)，在这种电路中，电压的规定极限值超过电路(10)的电源电压至少3.5伏。

8.按照权利要求4所述的电路(10)，在该电路中，控制单元(30)包括电的或者电子的模块(A)，这个模块适用于应用专用地控制第一场效应晶体管(FET1)，并且保护单元(50)和这个模块(A)整体设计。

9.按照权利要求8所述的电路(10)，在这种电路中，充电泵(41)和模块(A)整体设计。

10.炽热头引火塞的用于防止反极性的控制方法，具有用于触发炽热引火塞(20)的控制单元(30)，控制单元包括第一场效应晶体管(FET1)，这个场效应晶体管在共用的电流电路(P)中和炽热引火塞(20)连接，其特征在于具有下述步骤：

在电流电路(S)中连接第二场效应晶体管(FET2)，从而这个晶体管和这个第一晶体管(FET1)反向地连接，并且在这个电流电路(S)中的电流在两个方向上被闭锁，并且

活化第二晶体管(FET2)，从而在电流电路(S)的相应于炽热引火塞(20)的规定的极性的方向(D)中电流被释放。

11.按照权利要求10所述的方法，在这种方法中，监控在第二场效应晶体管(FET2)上的电气特性参数的活化数值，并且当这个数值对应于这个参数的规定的极限值，或者低于这个极限值时将第一场效应晶体管(FET1)去活化。

12.按照前述权利要求任一项所述，在开关单元(40)中将ASIC的充电泵(41)用于活化第二场效应晶体管(FET2)。