[发明专利]含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物

权利要求书

1.一种在制造半导体器件的光刻工艺中形成抗蚀剂下层防反射膜的组 合物，其特征在于，含有：

溶剂，和具有被保护的羧基和环氧基的高分子化合物，

所述具有被保护的羧基和环氧基的高分子化合物可以通过具有被保护 的羧基的加成聚合性单体和具有环氧基的加成聚合性单体的加成聚合来 制造，作为具有环氧基的加成聚合性单体，是选自丙烯酸缩水甘油酯、甲 基丙烯酸缩水甘油酯的至少一种单体，作为具有被保护的羧基的加成聚合 性单体，是选自甲基丙烯酸半缩醛酯化合物，丙烯酸半缩醛酯化合物、马 来酸半缩醛酯化合物、富马酸半缩醛酯化合物、衣康酸半缩醛酯化合物、 丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯的至少 一种单体，

作为被保护的羧基是选自式(i)～(m)表示的基团：

式中，R₃表示碳原子数为1～6的烷基、苄基或者苯基，

所述组合物不合有强酸催化剂。

2.如权利要求1所述的形成下层膜的组合物，所述作为具有被保护的 羧基的加成聚合性单体的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯选自甲基丙烯酸叔丁 酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸三甲基甲硅烷酯、甲基丙烯酸三甲基甲硅烷酯。

3.如权利要求1或2所述的形成下层膜的组合物，进一步含有吸光性 化合物。

4.一种在半导体器件的制造中使用的下层膜的形成方法，通过将如权 利要求1～3任一项所述的形成下层膜的组合物涂布在基板上并烘烤。

5.一种在半导体器件的制造中使用的光致抗蚀剂图形的形成方法，包 括：将如权利要求1～3任一项所述的形成下层膜的组合物涂布在半导体基 板上并进行烘烤来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的 工序；对上述下层膜和上述光致抗蚀剂层所被覆的半导体基板进行曝光的 工序；在曝光后将上述光致抗蚀剂层显影的工序。

6.如权利要求5所述的光致抗蚀剂图形的形成方法，上述曝光是利用 248nm、193nm或157nm波长的光进行的。