[发明专利]资料储存结构、记忆装置以及该记忆装置的制造工艺

权利要求书

1.一种记忆装置，其特征在于其包括：

一基底；

多个资料储存结构，配置于该基底上，各该些资料储存结构包括一下 部与一窄于该下部的上部，该下部的中心对准于该上部的中心，并且该些 资料储存结构形成一浮置栅极；

多个控制栅极，配置于该些资料储存结构上；以及

一介电层，配置于该些资料储存结构与该些控制栅极之间。

2.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于，该些资料储存结构 用电荷储存资料。

3.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于其中所述的基底中更 包括一重叠于各该些资料储存结构的隔离结构。

4.一种记忆装置的制造工艺，其特征在于其包括：

使一资料储存层的多个部分凹陷以形成多个凹陷部分，以形成多个资 料储存结构的上部；以及

分离该资料储存层的该些凹陷部分，以形成各该些资料储存结构的下 部，其中在各该些资料储存结构中，该上部窄于该下部；

其中分离该资料储存层的该些凹陷部分的步骤包括：

在该些资料储存结构的该些上部的侧壁上形成间隙壁；以及

以该些间隙壁为蚀刻掩模，蚀刻该资料储存层的该些凹陷部分。

5.根据权利要求4所述的记忆装置的制造工艺，其特征在于，使该资 料储存层的该些部分凹陷以形成多个凹陷部分的步骤包括：

在该资料储存层上形成一图案化的硬掩模层，其中该图案化的硬掩模 层覆盖该些资料储存结构的该些上部且暴露该资料储存层的该些部分；以 及

蚀刻该资料储存层的该些部分。

6.根据权利要求5所述的记忆装置的制造工艺，其特征在于，分离该 资料储存层的该些凹陷部分的步骤包括：

在该图案化的硬掩模层的侧壁与该些资料储存结构的该些上部的侧壁 上形成间隙壁；以及

以该图案化的硬掩模层与该些间隙壁为蚀刻掩模，蚀刻该资料储存层 的该些凹陷部分。

7.根据权利要求4所述的记忆装置的制造工艺，其特征在于其更包括 在形成该隧穿层与该资料储存层之前在该基底上形成一隔离结构，其中该 资料储存层的该些凹陷部分重叠于该隔离结构。

8.根据权利要求4所述的记忆装置的制造工艺，其特征在于其更包括 在形成该些资料储存结构的该些下部之后：

形成一介电层，以覆盖该些资料储存结构；以及

在该些资料储存结构上的该介电层上形成多个控制栅极。