[发明专利]有源矩阵式显示装置的像素结构无效
申请号: | 200910134853.3 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN101859791A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 刘俊彦;柯凯元;蔡轩名;吴元均;张立勋 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32;G09G3/20 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹市新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 显示装置 像素 结构 | ||
1.一种有源矩阵式显示装置的像素结构,其特征在于包含:
驱动电路,包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容;该第一薄膜晶体管的漏极耦接至数据电压,栅极耦接至第一扫描电压,源极耦接至该第二薄膜晶体管的漏极和该第四薄膜晶体管的栅极;该第二薄膜晶体管的栅极耦接至第二扫描电压,源极耦接至该第三薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第一端;该第三薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压,源极耦接至第一参考电压;该第四薄膜晶体管的源极耦接至该第五薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第二端;该第五薄膜晶体管的栅极耦接至发射电压,源极耦接至正电压;发光组件,该发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,负极耦接至公共电压;以及
分流电路,包含第六薄膜晶体管,该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压,该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。
2.如权利要求1所述的有源矩阵式显示装置的像素结构,其特征在于:该发光组件为OLED。
3.如权利要求1所述的有源矩阵式显示装置的像素结构,其特征在于:该第一参考电压为电源负极或接地电位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的