[发明专利]多层式封装基板及其制法、可发光半导体的封装结构

权利要求书

1.一种多层式封装基板，其特征在于，该多层式封装基板包括：一第一积层单元及一第二积层单元；该第一积层单元包括一第一陶瓷层及一第一铜层，该第一铜层被覆于该第一陶瓷层的一表面，并具有一第一图案；该第二积层单元设于该第一积层单元上，该第二积层单元包括一第二陶瓷层及一第二铜层，该第二陶瓷层位于该第一铜层与该第二铜层之间，该第二铜层具有一第二图案，且该第二积层单元还包括至少一穿孔，通过该穿孔使部分该第一铜层由该穿孔露出。

2.根据权利要求1所述的多层式封装基板，其特征在于，该第一积层单元的面积大于该第二积层单元，且该第一铜层部分露出于该第二积层单元覆盖的区域外。

3.根据权利要求1所述的多层式封装基板，其特征在于，该第一积层单元还包括一被覆于该第一陶瓷层的另一表面的背面铜层。

4.根据权利要求1或2或3所述的多层式封装基板，其特征在于，该多层式封装基板还包括一设于该穿孔中并与该第一铜层电连接的导电块。

5.根据权利要求4所述的多层式封装基板，其特征在于，该导电块为铜块。

6.根据权利要求1所述的多层式封装基板，其特征在于，该穿孔位于设有该第二铜层的区域中。

7.根据权利要求1所述的多层式封装基板，其特征在于，该第一积层单元与该第二积层单元由热处理直接接合。

8.一种多层式封装基板的制法，其特征在于，该多层式封装基板的制法包括：

制备一第一积层单元，步骤包括：

提供一被覆有一第一铜层的第一陶瓷层；及

图案化该第一铜层，以形成一第一图案及多个第一定位部；

制备一第二积层单元，步骤包括：

提供一两面分别被覆有一第二铜层及一底面铜层的第二陶瓷层；

图案化该第二铜层，以形成一第二图案；

图案化该底面铜层，以形成分别与所述第一定位部相对应的多个第二定位部；及

切割该第二陶瓷层，以形成至少一穿孔，且该穿孔对应于该第一铜层的部分区域；及

通过所述第一定位部与所述第二定位部相配合，将该第一积层单元与该第二积层单元相对定位，并进行热处理，使该第一积层单元与该第二积层单元接合固定。

9.根据权利要求8所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，相对应的各该第一定位部为凹槽且各该第二定位部为凸块。

10.根据权利要求8所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，相对应的各该第一定位部与各该第二定位部分别为凹槽，且通过一陶瓷制或铜制的定位柱相对定位。

11.根据权利要求8所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，该第一积层单元与该第二积层单元接合后，部分该第一铜层由该穿孔露出。

12.根据权利要求11所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，该多层式封装基板的制法还包括制备一导电块，以及将该导电块电连接于该第一铜层的步骤，该导电块通过该穿孔与该第一铜层相接。

13.根据权利要求12所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，该导电块为铜块，且于该热处理步骤中与该第一铜层接合。

14.根据权利要求8所述的多层式封装基板的制法，其特征在于，该第一陶瓷层的另一面还被覆有一背面铜层。

15.一种可发光半导体的封装结构，其特征在于，该可发光半导体的封装结构包括：一根据权利要求1或2或3所述的多层式封装基板，及一可发光半导体晶粒；该可发光半导体晶粒固设于该穿孔中的该第一铜层，并具有一第一电极与该第一铜层电连接，及一第二电极以打线方式与该第二铜层电连接。

16.一种可发光半导体的封装结构，其特征在于，该可发光半导体的封装结构包括：一根据权利要求4或5所述的多层式封装基板，及一可发光半导体晶粒；该可发光半导体晶粒固设于该导电块，并具有一第一电极与该导电块电连接，及一第二电极以打线方式与该第二铜层电连接。