[发明专利]四氢呋喃混合物、液晶组成物以及包含此液晶组成物的液晶显示元件

说明书

本申请是申请号为200580031337.8(国际申请号：PCT/JP2005/017990)，国际申请日为2005年9月29日，名称为“四氢吡喃化合物、液晶组成物以及包含此液晶组成物的液晶显示元件”的专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种液晶组成物、液晶化合物及液晶显示元件，特别是涉及一种四氢吡喃化合物、包含该化合物且具有一向列相的液晶组成物及包含该液晶组成物的液晶显示元件。 

背景技术

液晶显示元件使用液晶物质所固有的光学各向异性与介电各向异性。液晶显示元件分为各种类型，其包括TN型(扭转向列型)、DS型(动态散射型)、客体-主体型、DAP型(排列相型的变形)、STN型(超扭转向列型)及TFT型(薄膜电晶体型)，且TN型、STN型及TFT型近年来正成为主流。在此等显示元件类型中的任何类型中使用的液晶材料均需具有水、空气、热及光稳定性，且其亦需在尽可能以室温为中心的宽温度范围中显示液晶相、具有低粘度、具有最佳介电各向异性值(Δε)且具有最佳折射率各向异性值(Δn)、最佳弹性常数K及最佳弹性常数比K₃₃/K₁₁(K₃₃：弯曲弹性常数，K₁₁：斜展弹性常数)。当前情形在于尚不存在满足此等要求的单一物质且应将数种至数十种液晶物质混合以实现上述所需特征。在制备液晶组成物时，存在一些情形，其中举例而言，因Δε过小且Δn过大而不能实现所需特征。 

为获得具有高效能的液晶显示元件，对液晶组成物特征的要求现正变得严格。为满足此等要求，需要该液晶化合物可高度调整液晶组成物的特性。 

目前要求液晶显示器可在低温下驱动。在具有低Δn的组成物中使用的化合物一般包含大量环己烷环且由于该组成物在低温下具有不良相容性，碟状液晶相或晶体易于自该组成物中沉积。在此等情形下，需要研制具有小Δε与高澄清点的液晶化合物或具有小Δε及优良相容性的液晶化合物。 

作为用于上述目的的液晶化合物，由下式(16)表示的化合物已在(例如)德国专利第3,306,960号中得到报导。然而，该化合物(16)在低温下具有大Δn与不充分相容性。 

本发明的相关技术在以下专利文献中有所揭示：EP 1 302 523、DE 19950 194、DE 19 733 199、DE 19 625 100、GB 2 310 669、DE 19 611 096、WO 9 632 851、DE 4 238 377、DE 4 222 371、WO 9 213 928、DE 4 132 006、WO 9 105 029及EP 376 294。需要更佳的液晶化合物、液晶组成物及液晶显示元件。 

发明内容

本发明是关于由下式(1)表示的化合物：