[发明专利]硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池

权利要求书

1.一种硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于包括：

基板；

第一导电层，配置于所述基板上；

硅薄膜，配置于所述第一导电层上；

有机薄膜，配置于所述硅薄膜上；以及

第二导电层，配置于所述有机薄膜上。

2.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于更包括一第三导电层，配置于所述硅薄膜与所述有机薄膜之间。

3.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的有机薄膜的材料为有机导电聚合物。

4.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的有机薄膜的膜层结构至少为双层结构或单层异质接面结构。

5.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的有机薄膜包括P型高分子材料层与N型高分子材料层。

6.根据权利要求5所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的N型高分子材料层包括富勒烯衍生物。

7.根据权利要求5所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的P型高分子材料层与所述的N型高分子材料层分别包括亚乙基二氧硫代酚与6，6-苯基-C61丁酸甲酯。

8.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的硅薄膜包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、堆栈式硅薄膜或三层硅薄膜至少其一。

9.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的第一导电层的材料为透明导电层，而所述第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

10.根据权利要求1所述的硅薄膜与有机薄膜堆栈的太阳能电池，其特征在于其中所述的第二导电层的材料为透明导电层，而所述第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。