[发明专利]高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法

权利要求书

1.一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，其特征在于是以熔炼铸造所制成，且由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材，其中该添加金属是一种以上选自于由钽、锆、铌、铪、铝以及铬所组成的群组，其中钴具有令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例，且该添加金属占整体磁性溅射靶材的8～20at.％。

2.如权利要求1所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，其特征在于令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例是指钴占整体磁性溅射靶材的10～35at.％，而铁占整体磁性溅射靶材的45～82at.％。

3.如权利要求1所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，其特征在于令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例是指钴占整体磁性溅射靶材的60～70at.％，而铁占整体磁性溅射靶材的10～32at.％。

4.如权利要求1、2或3所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，其特征在于该磁性溅射靶材的厚度不超过15毫米，且具有大于15％的磁通量。

5.一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材的制造方法，其特征在于所述方法包括：

提供一由熔炼铸造的钴铁基合金磁性溅射靶材，其是由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材，其中该添加金属是一种以上选自于由钽、锆、铌、铪、铝以及铬所组成的群组，其中钴具有令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例，且该添加金属占整体磁性溅射靶材的8～20at.％；

将该钴铁基合金磁性溅射靶材经过800℃～1200℃的热处理。

6.如权利要求5所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材的制造方法，其特征在于该钴铁基合金磁性溅射靶材在热处理后还包括将该钴铁基合金磁性溅射靶材冷却，其中控制热处理后的钴铁基合金磁性溅射靶材冷却速率小于150℃/min。

7.如权利要求6所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材的制造方法，其特征在于令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例是指钴占整体磁性溅射靶材的10～35at.％，而铁占整体磁性溅射靶材的45～82at.％。

8.如权利要求7所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材的制造方法，其特征在于令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例是指钴占整体磁性溅射靶材的60～70at.％，而铁占整体磁性溅射靶材的10～32at.％。

9.如权利要求5至8中任一项所述的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材的制造方法，其特征在于该磁性溅射靶材的厚度不超过15毫米，且具有大于15％的磁通量。

10.一种利用如权利要求5至9中任一项所述的方法所制成的高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材。