[发明专利]减小衬底中的高频信号损失

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

半导体衬底中的耗尽区；

基本被耗尽区包围的深阱区，其中深阱区是与第一导电类型相反的第 二导电类型，而耗尽区包括直接位于深阱区之上的第一部分和直接位于深 阱区之下的第二部分；以及

直接位于深阱区之上的集成电路装置；

其中，深阱区是n型的，直接位于深阱区之上的半导体衬底的部分和 直接位于深阱区之下的半导体衬底的部分是p型的，还包括连接到深阱区 的电压源，其中，电压源被设置为提供正向电压给深阱区，深阱区包括多 个相互平行的深阱指，使用偏置电压时，邻近指的耗尽区重叠形成连续的 耗尽区。

2.根据权利要求1的集成电路结构，其中正向电压是核心电路的正向 电源电压或输入/输出电路的正向电源电压。

3.根据权利要求1的集成电路结构，其中集成电路装置是射频变压器， 所述集成电路结构还包括在半导体衬底之上、且将耗尽区与射频变压器分 隔的电介质层。

4.根据权利要求1的集成电路结构，其中集成电路装置是二极管，其 中二极管是结型二极管，其包括在半导体衬底中的第一阱区和在第一阱区 中的第二阱区，其中第一阱区和第二阱区具有相反的导电类型；或者，其 中二极管是鳍式场效应晶体管，其包括在半导体衬底上的第一鳍式区，和 在半导体衬底上与第一鳍式区接触的第二鳍式区；其中第一鳍式区和第二 鳍式区具有相反的导电类型；

或者，其中二极管是肖特基二极管。

5.一种集成电路结构，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

在半导体衬底中的深阱区，其顶表面比半导体衬底的顶表面低，其中 所述深阱区是与第一导电类型相反的第二导电类型；

连接到深阱区的电压源；

直接位于深阱区之上的射频变压器；以及

将射频变压器与半导体衬底的顶表面分隔开的电介质层；

其中，第一导电类型是p型，第二导电类型是n型，其中电压源被设 置为提供正向电压，其中电压源被设置为提供核心电路的正向电源电压给 深阱区，深阱区包括多个相互平行的深阱指，使用施加到深阱区的偏置电 压时，邻近指的耗尽区重叠形成连续的耗尽区。

6.权利要求5的集成电路结构，其中耗尽区从深阱区的顶表面延伸到 半导体衬底的顶表面，且耗尽区的面积不比射频变压器的面积小，其中耗 尽区的面积比射频变压器的面积大，且耗尽区在所有外侧方向上侧向延伸 到超过相应射频变压器的边缘，其中深阱区包括多个深阱指，耗尽区在这 些深阱指之间延伸。

7.一种集成电路结构，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

二极管；

在半导体衬底中且直接位于二极管之下的深阱区，其中深阱区是与第 一导电类型相反的第二导电类型；以及

包括直接位于深阱区之上的第一部分和直接位于深阱区之下的第二部 分的耗尽区，其中第一部分将深阱区与二极管分隔开；

该集成电路结构还包括：连接到深阱区的电压源，第一导电类型是n 型，第二导电类型是p型，其中电压源被设置为提供负向电压，深阱区包 括多个相互平行的深阱指，使用偏置电压时，邻近指的耗尽区重叠形成连 续的耗尽区。

8.根据权利要求7的集成电路结构，其中二极管是结型二极管，包括 在半导体衬底中的第一阱区和在第一阱区中的第二阱区，其中第一阱区和 第二阱区具有相反的导电类型；

或者，其中耗尽区延伸到半导体衬底的顶表面，其中二极管是鳍式场 效应晶体管，包括在半导体衬底之上的第一鳍式区和在半导体衬底之上并 与第一鳍式区接触的第二鳍式区，其中第一鳍式区和第二鳍式区具有相反 的导电类型；

或者，其中二极管是肖特基二极管，包括：

半导体衬底中的掺杂半导体区；和

与掺杂半导体区接触的金属接触栓塞。

9.根据权利要求7的集成电路结构，其中耗尽区的面积不比二极管的 面积小，其中耗尽区的面积比二极管的面积大，其中耗尽区基本在所有外 侧方向上侧向延伸到超过相应二极管的边缘。