[发明专利]主波长分布收敛的发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种主波长分布收敛的发光元件制造方法，至少包括下列步骤：

提供基板；

形成多个发光叠层于该基板上，其中该多个发光叠层发出第一光束，且该第一光束具有第一主波长变异值；以及

形成波长转换收敛层于该多个发光叠层上，该波长转换收敛层吸收该第一光束并发出第二光束，且该第二光束具有第二主波长变异值，其中该第一主波长变异值大于该第二光束主波长变异值。

2.如权利要求1所述的主波长分布收敛的发光元件制造方法，其中该多个发光叠层的材料选自包含铝、镓、铟、氮、磷或砷的半导体物质。

3.如权利要求1所述的主波长分布收敛的发光元件制造方法，其中该第一光束的主波长介于390nm至430nm之间。

4.如权利要求1所述的主波长分布收敛的发光元件制造方法，其中该第一光束完全被该波长转换收敛层所吸收。

5.如权利要求1所述的主波长分布收敛的发光元件制造方法，该波长转换收敛层至少包含磷光粉体或荧光粉体，其中该波长转换收敛层的荧光粉体选自Si₃MgSi₂O₈:Eu、BaMgAl_1oO₁₇:Eu、(SrBaCa)₅(PO₄)₃Cl:Eu、Sr₃(Al₂O₅)Cl₂:Eu²⁺以及Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu所构成群组中至少一种材料。

6.如权利要求1所述的主波长分布收敛的发光元件制造方法，还包含形成至少一波长转换层于该波长转换收敛层上，该波长转换层吸收部分该第二光束且发出第三光束，且该第二光束与该第三光束混合产生第四光束，其中该波长转换层的材料选自钇铝石榴石、碱土卤铝酸盐等黄色荧光粉体、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu、MnBa₂SiO₄:Eu、(Sr，Ca)SiO₄:Eu、CaSc₂O₄:Eu、Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂:Eu，Mn、SrSi₂O₂N₂:Eu、LaPO₄:Tb，Ce、Zn₂SiO₄:Mn、ZnS:Cu、YBO₃:Ce，Tb、(Ca，Sr，Ba)Al₂O₄:Eu、Sr₂P₂O₇:Eu，Mn、SrAl₂S₄:Eu、BaAl₂S₄:Eu、Sr₂Ga₂S₅:Eu、SiAlON:Eu、KSrPO₄:Tb、Na₂Gd₂B₂O₇:Ce，Tb等绿色荧光粉体，与Y₂O₃:Eu、YVO₄:Eu、CaSiAlN₃:Eu、(Sr，Ca)SiAlN₃:Eu、Sr₂Si₅N₈:Eu、CaSiN₂:Eu、(Y，Gd)BO₃:Eu、(La，Y)₂O₂S:Eu、La₂TeO₆:Eu、SrS:Eu、Gd₂MoO₆:Eu、Y₂WO₆:Eu，Bi、Lu₂WO₆:Eu，Bi、(Ca，S r，Ba)MgSi₂O₆:Eu，Mn、Sr₃SiO₅:Eu、SrY₂S₄:Eu、CaSiO₃:Eu、Ca₈MgLa(PO₄)₇:Eu、Ca₈MgGd(PO₄)₇:Eu、Ca₈MgY(PO₄)₇:Eu、CaLa₂S₄:Ce等红色荧光粉所构成群组中的至少一种材料。