[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

权利要求书

1、一种非易失性存储装置，包括：

至少一个第一电极；

至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极交叉；

至少一个数据存储层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极交叉的区域处；

至少一个金属硅化物层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极交叉的区域处。

2、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，至少一个金属硅化物层设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个数据存储层之间。

3、如权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一电极包含第一半导体，所述第一半导体与所述至少一个金属硅化物层接触以形成肖特基二极管。

4、如权利要求1所述的非易失性存储装置，所述非易失性存储装置还包括至少一个结合层，所述结合层设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个金属硅化物层之间，所述至少一个第一电极包含具有第一导电型的第一半导体，所述至少一个结合层包含具有与所述第一导电型相对的第二导电型的第二半导体。

5、如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个结合层凹进在所述至少一个第一电极的侧壁中。

6、如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个金属硅化物层设置在所述至少一个结合层和所述至少一个第二电极之间。

7、如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个数据存储层设置在所述至少一个结合层和所述至少一个第二电极之间。

8、如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个数据存储层设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个结合层之间。

9、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第二电极包含金属。

10、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极排列为彼此交叉成直角。

11、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，数据存储层包括可变电阻器。

12、如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个第一电极包括多个第一电极，所述至少一个第二电极包括设置在所述多个第一电极之间的多个第二电极。

13、如权利要求12所述的非易失性存储装置，其中，所述多个第一电极堆叠为多个堆叠的层，所述至少一个金属硅化物层包括设置在所述多个第一电极和所述多个第二电极之间的多个金属硅化物层。

14、如权利要求13所述的非易失性存储装置，其中，所述至少一个数据存储层延伸为与组成多个堆叠层的所述多个第一电极交叉。

15、一种非易失性存储装置，包括：

至少一个第一电极；

至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极交叉；

至少一个数据存储层，设置在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极的交叉点处，

其中，所述至少一个第一电极包含具有第一导电型的第一半导体，所述至少一个第二电极包含具有与所述第一导电型相对的第二导电型的第三半导体，以及埋在所述第三半导体中的埋层，其中，所述埋层包含金属或金属硅化物。

16、一种非易失性存储装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：形成至少一个第一电极；在所述至少一个第一电极的侧壁上形成至少一个金属硅化物层；在所述至少一个第一电极的侧壁上形成至少一个数据存储层；形成与所述至少一个第一电极交叉的至少一个第二电极，并在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间设置所述至少一个金属硅化物层和所述至少一个数据存储层，并在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极交叉的区域处。