[发明专利]氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于，

包括在氮化镓类半导体区域上形成具有第一膜厚且用于活性层的 第一InGaN膜的工序，

形成上述第一InGaN膜的上述工序包括以下工序：

向生长炉供给第一镓原料、第一铟原料及第一氮原料，为了形成 上述第一InGaN膜而在第一温度下进行比上述第一膜厚薄的InGaN的 堆积；

向上述生长炉供给第二铟原料及第二氮原料，并且在比上述第一 温度高的第二温度下进行上述InGaN的热处理；以及

在上述热处理之后，进行至少一次InGaN堆积，形成上述第一 InGaN膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述第二铟原料为 有机金属。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，上述第二氮原 料包括氨及胺类氮原料的至少任一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述第一InGaN膜 是上述活性层的阱层及阻挡层的任一方。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

上述第一InGaN膜是上述活性层的阱层，

在进行上述至少一次InGaN堆积而形成上述第一InGaN膜的上述 工序中，反复进行上述InGaN的堆积及上述InGaN的热处理，直到上 述第一膜厚的InGaN的堆积完成为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

上述第一InGaN膜是上述活性层的阱层，

上述第一InGaN膜的铟组成为0.25以上，

上述第一InGaN膜的铟组成为0.35以下。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

上述第一InGaN膜是上述活性层的阻挡层，

上述第一InGaN膜的铟组成为0.02以上，

上述第一InGaN膜的铟组成为0.08以下。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

还包括形成具有第二膜厚且用于上述活性层的第二InGaN膜的工 序，

上述第一及第二InGaN膜中的一个形成在上述第一及第二InGaN 膜中的另一个之上，

形成上述第二InGaN膜的上述工序包括以下工序：

向生长炉供给第三镓原料、第三铟原料及第三氮原料，为了形成 上述第二InGaN膜而在第三温度下进行比上述第二膜厚薄的InGaN的 堆积；

在堆积了上述InGaN后，向上述生长炉供给第四铟原料及第四氮 原料，并且在比上述第三温度高的第四温度下进行热处理；以及

直到上述第二膜厚的堆积完成为止进行上述至少一次InGaN堆积 及上述热处理，而形成上述第二InGaN膜，

上述第一及第二InGaN膜中的一个形成为用于上述活性层的阱 层，

上述第一及第二InGaN膜中的另一个形成为用于上述活性层的阻 挡层。

9.根据权利要求1、4～8的任一项所述的方法，其特征在于，

还包括准备由六方晶系材料构成的晶圆的工序，

上述晶圆的主面从上述六方晶系材料的c面以15度以上30度以 下的角度倾斜。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

上述第一InGaN膜形成为用于上述活性层的阱层，

上述第一温度为摄氏630度以上、摄氏780度以下。

11.根据权利要求1、4～8的任一项所述的方法，其特征在于，

还包括准备由六方晶系材料构成的晶圆的工序，

上述晶圆的主面为上述六方晶系材料的极性面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

上述第一InGaN膜形成为用于上述活性层的阱层，

上述第一温度为摄氏680度以上、摄氏830度以下。