[发明专利]发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法

权利要求书

1.一种形成LED半导体器件的方法，包括：

在衬底上设置LED；

在所述LED上设置第一密封剂材料层；

对所述第一密封剂材料层进行第一退火；

在首先被退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层；以及

对所述第一密封剂材料层和所述发光转换材料层进行第二退火。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述发光转换材料层基本由发 光转换材料组成。

3.如权利要求1所述的方法，其中在被首先退火的第一密封剂材 料层上设置所述发光转换材料层包括：将所述发光转换材料层设置成 被选择以确定从LED半导体器件发射的光能的所得透射率的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：通过控制所述第一密封剂 材料层的所述第一退火的工艺条件，控制所述发光转换材料层的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：通过向所述第一密封剂材 料层施加物理压力，控制所述发光转换材料层的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中在第一工艺条件下进行所述第 一退火，并且其中在第二工艺条件下进行所述第二退火，并且其中所 述第二工艺条件与所述第一工艺条件无关。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一退火的所述第一工艺 条件导致所述第一密封剂材料层的软固化，并且其中所述第二退火的 所述第二工艺条件导致所述第一密封剂材料层的硬固化。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在所述发光转换材料层上设 置第二密封剂材料层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二密封剂材料层对于由 所述LED发射的波长的光能基本上透明。

10.如权利要求8所述的方法，其中在对所述第一密封剂材料层 和所述发光转换材料层进行第二退火之前，进行在所述发光转换材料 层上设置第二密封剂材料层。

11.如权利要求8所述的方法，其中在对所述第二密封剂材料层 和所述发光转换材料层进行第二退火之后，进行在所述发光转换材料 层上设置第二密封剂层。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一密封剂材料层对于 由所述LED发射的波长的光能基本上透明。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：在被首先退火的第一密 封剂材料层上设置所述发光转换材料层之后，选择性去除所述发光转 换材料层的一部分，其中所述选择性去除将所述发光转换材料层的没 有粘附于被首先退火的第一密封剂材料层的部分去除。

14.如权利要求1所述的方法，还包括在所述发光转换材料层上 设置滤光器。

15.如权利要求1所述的方法，还包括在所述发光转换材料层上 设置一个或多个透镜。

16.如权利要求1所述的方法，其中在所述LED上设置第一密封 剂材料层还包括在所述衬底上设置第一密封剂材料层。

17.如权利要求1所述的方法，其中在所述LED上设置第一密封 剂材料层还包括：只在所述LED和所述衬底上设置所述第一密封剂材 料层，并将所述第一密封剂材料图形化，使得只在所述LED上保留所 述第一密封剂材料。

18.如权利要求17所述的方法，其中在被首先退火的第一密封剂 材料层上设置所述发光转换材料层还包括在所述衬底上设置所述发光 转换材料层；并且还包括：

在被首先退火的第一密封剂材料层和所述衬底上设置所述发光转 换材料层之后，选择性去除所述发光转换材料层的一部分，其中选择 性去除将所述发光转换材料层的没有粘附于被首先退火的第一密封剂 材料层的部分去除。

19.如权利要求17所述的方法，还包括在所述发光转换材料层和 所述衬底上设置第二密封剂层。