[发明专利]半导体封装用环氧树脂组合物以及使用该组合物的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体封装用环氧树脂组合物，所述环氧树脂组合物包括 如下成分(A)至(C)并进一步包括作为阻燃剂的如下成分(D)：

(A)环氧树脂；

(B)酚醛树脂；

(C)无机填料；和

(D)氢氧化铝粉末，所述氢氧化铝粉末的50％体积累积粒径D₅₀(μ m)为1.5～5μm，BET比表面积S(m²/g)为3.3/D₅₀≤S≤4.2/D₅₀，且D₅₀/D₁₀比值为1.5～4，其中D₁₀为所述氢氧化铝粉末的10％体积累积粒径。

2.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其中在将10mg所述氢氧 化铝粉末用作样品、并且加热速率为10℃/分钟下通过差示扫描量热法 (DSC)测定的所述(D)氢氧化铝粉末的吸热起始温度为240℃以上且吸 热峰值温度为280～310℃。

3.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其中在将10mg所述氢氧 化铝粉末用作样品、并且加热速率为10℃/分钟下通过差示扫描量热法 (DSC)测定的所述(D)氢氧化铝粉末的峰值吸热量为2.5～3.5W/mg。

4.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其中基于所述环氧树脂组 合物的总量，所述(C)无机填料和所述(D)氢氧化铝粉末的总含量为 70～90重量％。

5.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其中基于所述环氧树脂组 合物的总量，所述(D)氢氧化铝粉末的含量为3～40重量％。

6.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其中基于所述(C)无机填料 和所述(D)氢氧化铝粉末的总量，所述(D)氢氧化铝粉末的含量为5～50 重量％。

7.根据权利要求1的环氧树脂组合物，其进一步包括酸性脱模剂。

8.一种半导体器件，其通过用根据权利要求1的环氧树脂组合物 对半导体元件进行树脂封装而获得。