[发明专利]挠性电极阵列基板与挠性显示器有效
申请号: | 200910137282.9 | 申请日: | 2009-04-30 |
公开(公告)号: | CN101876770A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 庄凯丞;王子铭 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 阵列 显示器 | ||
技术领域
本发明是有关于一种挠性电极阵列基板(flexible electrode array substrate)与挠性显示器(flexible display device),且特别是有关于一种被弯曲时,影像品质较佳的挠性电极阵列基板与挠性显示器(flexible display device)。
背景技术
随着资讯及消费性电子产业蓬勃的发展,液晶显示器、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理、以及数字相机等电子产品已成为生活中不可或缺的一部份。这些电子产品都具有显示面板,其作为显示影像的媒介。
具有显示面板的显示器可被设计为具有挠性(或称为可挠性)。然而,挠性显示器在被弯曲时,挠性显示器上的不同部位会有不同程度的拉伸或压缩应力。例如,挠性显示器中间部分通常会承受较大应力而产生较大的变形,而挠性显示器边缘部分通常会承受较小的应力而产生较小的变形。如果挠性显示器是长时间在被弯曲的状态下使用时,挠性显示器弯曲时显示出来的影像将会扭曲而失真。因此,现有习知的挠性显示器弯曲时所显示的影像品质较差。如何解决上述问题将是值得努力的方向。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种挠性电极阵列基板,其应用于一挠性显示器,使得挠性显示器被弯曲时,其影像品质较佳。
本发明的另一目的在于,提供一种挠性显示器,其被弯曲时所显示的影像品质较佳。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种挠性电极阵列基板,包括一挠性基底(flexible base)以及多个像素电极(pixel electrode,或称为画素电极)。这些像素电极配置于挠性基底上且排列成一阵列(array)。这些像素电极的其中之一的大小(size)不同于这些像素电极的其中另一的大小。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多行(row)的第一像素电极组(pixel electrode set)。各个第一像素电极组的这些像素电极沿着一第一轴向(axis)排列,各个像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸(dimension)。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域(central region)向挠性基底的相对两第一边缘(edge)而逐渐增加。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多列(column)的第二像素电极组。各个第二像素电极组的这些像素电极沿着第二轴向排列,各个像素电极沿着第一轴向具有一第二尺寸。这些第二尺寸沿着第一轴向由挠性基底的中心区域向挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种挠性显示器,包括一挠性电极阵列基板、一显示层以及一共用电极。挠性电极阵列基板包括一挠性基底以及多个像素电极。这些像素电极配置于挠性基底上且排列成一阵列。这些像素电极的其中之一的大小不同于这些像素电极的其中另一的大小。显示层配置于挠性电极阵列基板上。共用电极配置于显示层上。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多行的第一像素电极组。各个第一像素电极组的这些像素电极沿着一第一轴向排列,各个像素电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域向挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
在本发明的一实施例中,这些像素电极构成多列的第二像素电极组。各个第二像素电极组的这些像素电极沿着第二轴向排列。各个像素电极沿着第一轴向具有一第二尺寸。这些第二尺寸沿着第一轴向由挠性基底的中心区域向挠性基底的相对两第二边缘而逐渐增加。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种挠性电极阵列基板,包括一挠性基底以及多个条状电极(bar electrode)。这些条状电极配置于挠性基底上且排列成一阵列。这些条状电极的其中之一的大小不同于这些条状电极的其中另一的大小。
在本发明的一实施例中,各个条状电极沿着一第一轴向延伸,各个条状电极沿着一第二轴向具有一第一尺寸。第二轴向垂直于第一轴向。这些第一尺寸沿着第二轴向由挠性基底的一中心区域向挠性基底的相对两第一边缘而逐渐增加。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司,未经元太科技工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910137282.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。