[发明专利]具有外延式护环的肖特基二极管元件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有外延式护环的肖特基二极管元件结构，其特征在于，包含：

一硅基材；

一外延硅层，设于该硅基材上；

一环状沟渠，设于一切割道区域内，且围绕着该外延硅层；

一绝缘层，至少形成在该环状沟渠的一侧壁上；

一硅化金属层，设于该外延硅层上；

一导电层，设于该硅化金属层；以及

一护环结构，设于该外延硅层中，并且与该绝缘层接壤。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该环状沟渠定义出一主动区域。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该硅化金属层覆盖住全部的该主动区域。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该环状沟渠的深度大于N型外延硅层的厚度。

5.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，其特征在于，该环状深沟渠的深度为10微米。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该绝缘层具有一凸出部份，其凸出于该硅化金属层的表面。

7.根据权利要求6所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该凸出部份凸出于该硅化金属层的表面0.5微米。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该硅基材为一N型重掺杂的硅基材。

9.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该外延硅层为一N型外延硅。

10.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该绝缘层包含二氧化硅。

11.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该硅化金属层包含镍硅或铂化硅或钛硅。

12.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该导电层包含钛或镍或银或其组合。

13.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该护环结构为一P+护环结构。

14.根据权利要求1所述的肖特基二极管元件结构，其特征在于，该导电层与该环状沟渠之间保持一带状间距。

15.一种肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，包含：

提供一硅基材；

于该硅基材上长出一外延硅层；

于该外延硅层上形成一第一介电层；

进行一离子植入工艺，于该外延硅层中形成一护环结构；

去除该第一介电层；

于该外延硅层上形成一第二介电层；

刻蚀一切割道区域内的该第二介电层、该护环结构、该外延硅层及该硅基材，形成一环状沟渠；

在该环状沟渠的内壁上形成一绝缘层；

去除该第二介电层，暴露出该外延硅层；

于该外延硅层上形成一硅化金属层；以及

于该硅化金属层上形成一导电层。

16.根据权利要求15所述的肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，该环状沟渠的深度大于该外延硅层的厚度。

17.根据权利要求15所述的肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，在去除该第二介电层之前，进行一热推阱工艺，活化该护环结构内的杂质。

18.根据权利要求15所述的肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，该第一介电层为硅氧层。

19.根据权利要求15所述的肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，该第二介电层为氮化硅层。

20.根据权利要求15所述的肖特基二极管元件的制作方法，其特征在于，该绝缘层具有一凸出部分，其凸出于该硅化金属层的表面。