[发明专利]具有拖尾屏蔽件的垂直写头

权利要求书

1.一种用于垂直磁记录的写头，包括：

磁写极，具有延伸到气垫面的末端，所述磁写极构造为沿垂直于所述气 垫面的方向发出磁写场，所述磁写极具有沿垂直于所述气垫面且垂直于数据 道方向的平面取向的拖尾边缘表面；

非磁拖尾间隙层，与所述磁写极的所述拖尾边缘表面相邻；以及

拖尾磁屏蔽件，与所述非磁拖尾间隙层相邻，从而所述非磁拖尾间隙层 夹在所述拖尾磁屏蔽件与所述磁写极的所述拖尾边缘表面之间，所述拖尾磁 屏蔽件具有位于所述气垫面处且平行于所述气垫面的第一表面以及与所述 第一表面相反且相对于所述磁写极的所述拖尾边缘表面以20-75度的角度形 成的第二表面，所述拖尾磁屏蔽件的所述第二表面逐渐远离所述磁写极渐 缩。

2.如权利要求1所述的写头，其中所述拖尾磁屏蔽件具有接触所述非磁 拖尾间隙层的前导边缘表面，所述前导边缘表面从所述第一表面延伸到所述 第二表面，所述前导边缘表面的长度定义所述拖尾磁屏蔽件的喉高。

3.如权利要求2所述的写头，其中所述拖尾磁屏蔽件的所述喉高不大于 25nm。

4.如权利要求1所述的写头，其中所述非磁拖尾间隙层具有15至25nm 的厚度。

5.如权利要求1所述的写头，还包括与所述拖尾磁屏蔽件相连的拖尾磁 返回极。

6.如权利要求1所述的写头，其中所述非磁拖尾间隙层包括Rh、Ir或 Ta。

7.如权利要求1所述的写头，其中所述拖尾磁屏蔽件具有与所述第一表 面相反的背边缘表面以及离开所述磁写极定位的拖尾边缘表面，所述背边缘 表面从所述第二表面延伸到所述拖尾边缘表面。

8.如权利要求1所述的写头，其中所述拖尾磁屏蔽件具有离开所述磁写 极定位的拖尾边缘表面以及朝向所述磁写极定位的前导边缘表面，且其中所 述第二表面从所述拖尾边缘表面延伸到所述前导边缘表面。

9.一种用于垂直磁数据记录的磁写头，包括：

前导磁返回极，具有朝向气垫面设置的末端；

磁写极，具有朝向所述气垫面设置的末端，所述磁写极在所述气垫面处 具有的表面面积远小于所述前导磁返回极在所述气垫面处具有的表面面积， 从而允许所述磁写极沿垂直于所述气垫面的方向发出磁写场，所述磁写极与 所述前导磁返回极在远离所述气垫面的区域中磁连接，所述磁写极具有沿垂 直于所述气垫面且垂直于数据道方向的平面取向的拖尾边缘表面；

非磁拖尾间隙层，形成在所述磁写极的拖尾边缘表面上；

拖尾磁屏蔽件，位于所述气垫面处，所述非磁拖尾间隙层夹在所述拖尾 磁屏蔽件和所述磁写极的所述拖尾边缘表面之间；所述拖尾磁屏蔽件还包括 设置在所述气垫面处的第一表面以及离开所述气垫面定位且相对于所述磁 写极的所述拖尾边缘表面以20-75度的角度渐缩的第二表面，所述拖尾磁屏 蔽件的所述第二表面逐渐远离所述磁写极渐缩；以及

拖尾磁返回极，与所述拖尾磁屏蔽件磁连接，且与所述前导磁返回极和 所述磁写极在离开所述气垫面的区域中磁连接。

10.如权利要求9所述的磁写头，其中所述第一表面和第二表面之间的 在最接近所述非磁间隙层的点处的距离定义所述拖尾磁屏蔽件的喉高。

11.如权利要求10所述的磁写头，其中所述喉高不大于25nm。

12.如权利要求9所述的磁写头，其中所述非磁拖尾间隙层具有15至 25nm的厚度。

13.如权利要求9所述的磁写头，其中所述非磁拖尾间隙层包括Rh、Ir 或Ta。

14.如权利要求9所述的磁写头，其中所述拖尾磁屏蔽件具有与所述第 一表面相反的背边缘表面以及离开所述磁写极定位的拖尾边缘表面，所述背 边缘表面从所述第二表面延伸到所述拖尾边缘表面。