[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

本申请是2005年9月8日提交的申请号为200510098150.1，题为“薄 膜晶体管阵列面板及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于液晶显示器(LCD)或者有机发光显示器(OLED) 的薄膜晶体管(TFT)阵列面板(array panel)，以及该阵列面板的制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCDs)是最为常用的平板显示器之一。LCD包括液晶(LC) 层，该液晶层置于设置有场发生电极(the field-generating electrodes)的两 个面板之间。LCD通过向所述场发生电极施加电压来在所述LC层中产生 电场以调整入射光的偏振而显示图像，其中所述电场决定着所述LC层中 LC分子的取向。

这样一种包括分别设置有场发生电极的两个面板的LCD支配着LCD 市场，其中一个面板具有呈矩阵状的多个象素电极，而另一个面板具有覆 盖面板的整个表面的公共电极(common electrode)。

LCD通过向各个象素电极施加不同电压而显示图像。为此，具有三个 端子以转换施加于象素电极上的电压的薄膜晶体管(TFTs)，被连接在象素 电极上，并且在薄膜晶体管阵列面板上形成传送用于控制所述薄膜晶体管 的信号的栅极线(gata lines)和传送施加于所述象素电极上的电压的数据线。

TFT是一种响应来自于栅极线的扫描信号将图像信号从数据线传送至 象素电极的开关元件。

TFT应用在有源矩阵有机发光显示器上，以作为一种用于控制各个发 光元件的开关元件。

与此同时，铬(Cr)通常是用于TFT阵列面板的栅极线和数据线的主 要材料。但是Cr具有应力和电阻率高的缺点。

考虑到LCD尺寸不断增大的趋势，由于栅极线和数据线的长度随着 LCD的尺寸一同增大，所以迫切需求一种具有低电阻率的材料。

由于其低的电阻率，铝(Al)是一种用于替代Cr的公知材料。但是， Al也具有缺点，包括会由于高温而诱发小丘生长(hillock growth)，当Al 与半导体发生接触时，Al会扩散到该半导体内，并且由于Al具有与象素电 极材料、比如氧化铟锡(ITO)的较差接触特性，所以会在由Al制成的漏 电极与由ITO制成的象素电极之间出现不良接触。

发明内容

本发明的一个目的在于解决前述问题，并且提供一种没有前述问题的 带有信号线的薄膜晶体管阵列面板，该信号线具有低电阻率和良好的接触 特性。

为了实现该目的，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其具有由 钼合金(Mo-alloy)形成的数据线和栅极线，其中所述钼合金由Mo与铌 (Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种构成，并且具有低的电阻率和良 好的耐化学性。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；

图2是图1中所示TFT阵列面板沿着线II-II′的截面图；

图3A、4A、5A和6A均为布局图，依次示出了根据图1和2中实施例 的用于LCD的TFT阵列面板的制造方法的中间步骤；

图3B是图3A中所示TFT阵列面板沿着线IIIb-IIIb′的截面图；

图4B是在图3B所示步骤之后的步骤中，图4A中所示TFT阵列面板 沿着线IVb-IVb′的截面图；

图5B是在图4B所示步骤之后的步骤中，图5A中所示TFT阵列面板 沿着线Vb-Vb′的截面图；

图6B是在图5B所示步骤之后的步骤中，图6A中所示TFT阵列面板 沿着线VIb-VIb′的截面图；

图7是根据本发明另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；

图8是图7中所示TFT阵列面板沿着线VIII-VIII′的截面图；

图9A至13B是在根据本发明一实施例的制造方法的中间步骤中，图7 和8中所示TFT阵列面板的截面图；

图14A是根据本发明又一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局 图；

图14B是图14A中所示TFT阵列面板沿着线XIVB-XIVB′的截面图；

图15A至16B是在根据本发明一实施例的制造方法的中间步骤中，图 14A和14B中所示TFT阵列面板的截面图；