[发明专利]一种抗蚀图形改进材料以及使用该材料制备抗蚀图形的方法

权利要求书

1.一种制备图形的方法，包括：

形成抗蚀图形；和

在所述抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，其中，所述抗 蚀图形改进材料与所述抗蚀图形在它们之间的界面处混合，其中所述 抗蚀图形改进材料包括：

(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：

(i)一种树脂，选自：聚乙烯醇和聚乙烯醇缩乙醛，和

(ii)一种交联剂或者非离子表面活性剂，和

(b)一种水溶性芳香族化合物；

其中所述水溶性芳香族化合物为儿茶酸，其中所述抗蚀图形通过 照射ArF受激准分子激光或者波长短于ArF受激准分子激光的波长的 激光来形成，其中所述抗蚀图形改进材料通过烘焙而交联，并且其中 所述抗蚀图形改进材料的图形包括一种不透过ArF受激准分子激光的 基础树脂。

2.根据权利要求1的制备图形的方法，其中，交联的量由涂覆的 膜的厚度、烘焙温度、和/或烘焙时间来控制，以便减小所述抗蚀图形 的边缘粗糙度的量至一预定的水平。

3.根据权利要求2的制备图形的方法，其中，所述抗蚀图形的尺 寸的变化被控制在10％或更小的范围内，并且其中所述边缘粗糙度的 量被控制为在所述图形的尺寸的5％或更小的范围内减小。

4.根据权利要求3的制备图形的方法，其中，所述抗蚀图形的材 料选自包含下列物质的组中：酚醛树脂清漆型，聚(4-羟基苯乙烯) 型，丙烯酸型，环烯马来酸酐型，脂环族丙烯酸混合型，和它们的氟 化的衍生物。

5.一种制备图形的方法，包括：

形成抗蚀图形；和

在所述抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，

其中所述抗蚀图形改进材料包括：

(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：

(i)一种树脂，选自：聚乙烯醇和聚乙烯醇缩乙醛，和

(ii)一种交联剂或者非离子表面活性剂，和

(b)一种水溶性芳香族化合物，其中所述水溶性芳香族化合物 为儿茶酸，

其中，所述抗蚀图形改进材料与所述抗蚀图形在它们之间的界面 处混合，其中所述抗蚀图形改进材料通过烘焙而交联，其中，混合的 量由涂覆的膜的厚度、烘焙温度，和/或烘焙时间来控制，以便减小所 述抗蚀图形的边缘粗糙度的量至一预定的水平。

6.一种制备半导体器件的方法，包括：

(a)形成一抗蚀图形；

(b)用抗蚀图形改进材料涂覆所述抗蚀图形，以覆盖所述抗蚀 图形的表面，由此减小所述抗蚀图形的边缘粗糙度；以及

(c)借助干法蚀刻将一表面预备层图形化，同时使用具有减小 的边缘粗糙度的所述抗蚀图形作为掩模，所述抗蚀图形改进材料包括：

(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：

(i)一种树脂，选自：聚乙烯醇和聚乙烯醇缩乙醛，和

(ii)一种交联剂或者非离子表面活性剂，和

(b)一种水溶性芳香族化合物；并且

其中所述水溶性芳香族化合物为儿茶酸，其中所述抗蚀图形改进 材料通过烘焙而交联，其中所述抗蚀图形通过照射ArF受激准分子激 光或者波长短于ArF受激准分子激光的波长的激光来形成，并且其中 所述抗蚀图形改进材料的图形包括一种不透过ArF受激准分子激光的 基础树脂。