[发明专利]太阳能电池元件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池元件结构，包含：

一基板；

一金属层，具有多个相互分离的p型电极单元，形成于该基板的表面；

一p型半导体层，形成于该金属层的表面；

一n型半导体层，形成于该p型半导体层的表面；

一高阻值膜层，形成该n型半导体层的表面；

一辅助电极层，形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元的表面；以及

一透明导电层，形成于该辅助电极层、该高阻值膜层及该多个p型电极单元的表面；

其中，各该p型电极单元上形成至少一电池单元，该辅助电极层及该透明导电层串联各该电池单元。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该n型半导体层为硫化镉、硫化锌或硫化铟。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该n型半导体层的厚度介于1nm～1000nm之间。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层叠设接触于该n型半导体层及该辅助电极层之间，或该n型半导体层及透明导电层之间。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层包含金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件结构，其中，该金属氧化物为选自氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜、氧化铁、氧化锡、氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化镧、氧化铌、铟锡氧化物、氧化锶、氧化镉、氧化铟、其混合物、其合金或其化合物。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层包含可造成电容效应的绝缘材料。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池元件结构，其中，该绝缘材料为硅或氧化铝。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层包含金属氮化物。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层的厚度介于25埃至2000埃之间。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该透明导电层为选自铟锡氧化物、铟钛氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、镓锌氧化物、铝镓锌氧化物、镉锡氧化物、氧化锌及二氧化锆中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该金属层包含钼、铬、钒或钨金属。

13.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该基板为玻璃基板、塑胶软板、不锈钢、钼、铜、钛、铝金属板或金属箔片。

14.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中该辅助电极层包含多个狭窄的条状金属带或细长的带状图案或任意几何图形且其覆盖面积为太阳能电池元件有效面积的0.01％至10％。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池元件结构，其中，该辅助电极层为银、锡、铟、锌、铝、铜或前述金属的合金，或可图形化的低阻抗金属。

16.一种太阳能电池元件结构，包含：

一基板；

一金属层，具有多个相互分离的p型电极单元，形成于该基板的表面；

一高阻值膜层，形成该金属层的表面；

一p型半导体层，形成于该高阻值膜层的表面；

一n型半导体层，形成于该p型半导体层的表面；

一辅助电极层，形成于该n型半导体层和该多个p型电极单元的表面；以及

一透明导电层，形成于该辅助电极层、该n型半导体层及该多个p型电极单元的表面；

其中，各该p型电极单元上形成至少一电池单元，该辅助电极层及该透明导电层串联各该电池单元。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池元件结构，其中，该n型半导体层为硫化镉。

18.根据权利要求16所述的太阳能电池元件结构，其中，该n型半导体层的厚度介于1nm～1000nm之间。

19.根据权利要求16所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层叠设接触于该金属层及该p型半导体层之间。

20.根据权利要求16所述的太阳能电池元件结构，其中，该高阻值膜层包含金属氧化物。