[发明专利]具有周期结构的硅基板

权利要求书

1.一种具有周期结构的硅基板，包括：

一硅基板；以及

一周期结构，位于该硅基板的表面并具有复数个微凹穴；

其中，该复数微凹穴呈数组状排列，该复数微凹穴的形状为一倒四角锥或一倒截头圆锥，该倒四角锥的底边长度介于100nm至2400nm之间，该倒截头圆锥的直径介于100nm至2400nm之间，且该微凹穴的深度介于100nm至2400nm之间。

2.如权利要求1所述的硅基板，其中，该周期结构是经由下列步骤制备而成：

(A)提供该硅基板及复数纳米球，其中该复数纳米球排列于该硅基板的表面；

(B)形成一填充层于该硅基板的部分表面及该复数纳米球的间隙；

(C)移除该复数纳米球；

(D)将该填充层做为一蚀刻屏蔽并蚀刻该硅基板；以及

(E)移除该蚀刻屏蔽，以于该硅基板的表面形成该周期结构。

3.如权利要求1所述的硅基板，其中，该周期结构为纳米级周期结构。

4.如权利要求1所述的硅基板，其中，包括一抗反射层，位于该硅基板及该微凹穴的表面。

5.如权利要求1所述的硅基板，其中，该抗反射层的材料为ITO、AZO、ZnO、SnO_x、TiO_x、SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y。

6.如权利要求1所述的硅基板，其中，该硅基板的材质为P型单晶硅、N型单晶硅、P型多晶硅、N型多晶硅、P型非晶硅或N型非晶硅。

7.如权利要求1所述的硅基板，其中，步骤(A)的复数纳米球排列于该硅基板的表面，包括：

(A1)提供该硅基板、及一位于一容器中的胶体溶液，且该胶体溶液包括该复数纳米球及一接口活性剂；

(A2)放置该硅基板于该容器中，且该胶体溶液覆盖于该硅基板的表面；以及

(A3)加入一具挥发性的溶液于容器中，以增加溶液挥发速率，且促使复数纳米球于硅基板的表面进行排列。

8.如权利要求1所述的硅基板，其中，该填充层是利用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成于该硅基板的部分表面及该复数纳米球的间隙。

9.如权利要求1所述的硅基板，其中，步骤(D)是以一缓冲蚀刻液蚀刻该硅基板。

10.如权利要求9所述的硅基板，其中，该缓冲蚀刻液包含一碱液、一醇类以及水。

11.如权利要求10所述的硅基板，其中，该碱液为氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化四甲铵、乙二胺、联胺、氢氧化铈或氢氧化铷。

12.如权利要求10所述的硅基板，其中，该醇类为乙醇或异丙醇。

13.如权利要求9所述的硅基板，其中，该缓冲蚀刻液包含一酸液、一醇类以及水。

14.如权利要求13所述的硅基板，其中，该酸液为硝酸及氢氟酸混合液或Amine Callates；其中Amine Callates是由乙醇胺、五倍子酸、水、吡嗪、过氧化氢及界面活性剂所混合而成。

15.如权利要求13所述的硅基板，其中，该醇类为乙醇或异丙醇。

16.如权利要求1所述的硅基板，其中，该填充层的材质为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、钛、银、金、铂、钼、铜、钯、铁、镍、锡、钨、钒、ITO、ZnO、AZO或光阻。

17.如权利要求1所述的硅基板，其中，该纳米球的材质为氧化硅、陶瓷、聚甲基丙烯酸甲酯、氧化钛或聚苯乙烯。

18.如权利要求1所述的硅基板，其中，该填充层的厚度小于该复数纳米球的直径。

19.如权利要求1所述的硅基板，其中，该复数纳米球的直径介于100nm至2.5μm之间。

20.如权利要求1所述的硅基板，其中，该复数纳米球具有相同的直径。