[发明专利]实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置无效
申请号: | 200910138097.1 | 申请日: | 2008-06-11 |
公开(公告)号: | CN101580932A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 左敦稳;李多生;卢文壮;陈荣发;孙业斌 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/52 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 瞿网兰 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实现 金刚石 膜球冠 制备 过程 基体 装置 | ||
1.一种实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置,包括铜质基座(6),铜质基座(6)的上表面与沉积基体(1)的下表面相接触,所述的铜质基座(6)为一中空的结构,其中安装有循环水分配体(2),循环水分配体(2)上设有进水孔(3)和出水孔(4),在铜质基座(6)和循环水分配体(2)之间形成有冷却水腔(5),冷却水腔(5)的与沉积基体(1)相接触的底壁或呈阶梯结构或呈球面结构,且底壁的厚度分布与沉积基体上表面温度分布成反比,即沉积基体上表面温度越高的区域,其对应处的壁厚越小,其特征是所述的冷却水腔(5)的底壁设有五个等宽的圆环状阶梯,五个圆环状阶梯的高度分别为h1=0.0004R+1.3563,h2=-0.0001R2+0.0046R+1.8674,h3=-0.0051R+2.8717,h4=-0.0027R+3.9076,h5=0.0001R2-0.0118R+5.1713,其中R为沉积体表面曲率半径;沉积基体(1)的表面为上凸形,h1是指铜质基座(6)底壁中心的第一台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h2是指紧邻第一台阶面的第二台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h3是指紧邻第二台阶面的第三台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h4是指紧邻第三台阶面的第四台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h5是指紧邻第四台阶面的第五台阶面离铜质基座(6)上表面的距离。
2.一种实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置,包括铜质基座(6),铜质基座(6)的上表面与沉积基体(1)的下表面相接触,所述的铜质基座(6)为一中空的结构,其中安装有循环水分配体(2),循环水分配体(2)上设有进水孔(3)和出水孔(4),在铜质基座(6)和循环水分配体(2)之间形成有冷却水腔(5),冷却水腔(5)的与沉积基体(1)相接触的底壁或呈阶梯结构或呈球面结构,且底壁的厚度分布与沉积基体上表面温度分布成反比,即沉积基体上表面温度越高的区域,其对应处的壁厚越小,其特征是所述的冷却水腔(5)的底壁设有五个等宽的圆环状阶梯,五个圆环状阶梯的高度分别为h1=0.0004R+1.3563,h2=-0.0001R2+0.0046R+1.8674,h3=-0.0051R+2.8717,h4=-0.0027R+3.9076,h5=0.0001R2-0.0118R+5.1713,其中R为沉积体表面曲率半径;沉积基体(1)的表面为下凹形,h1是指铜质基座(6)底壁最外圆的第一台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h2是指紧邻第一台阶面的第二台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h3是指紧邻第二台阶面的第三台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h4是指紧邻第三台阶面的第四台阶面离铜质基座(6)上表面的距离,h5是指紧邻第四台阶面的第五台阶面离铜质基座(6)上表面的距离。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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