[发明专利]电致发光显示面板、电子仪器以及面板驱动方法

说明书

技术领域

总的来说，本发明说明书中说明的本发明涉及用于根据采取有源矩阵驱 动方法所执行的控制来驱动受驱动的有机EL(Electro Luminescence，电致发 光)显示面板的驱动方法。注意，本发明说明书中建议的本发明还具有用于 驱动有机EL显示面板的驱动方法的形式以及每一个均采用该有机EL显示面 板的电子仪器的形式。

背景技术

图1是示出有源矩阵驱动型有机EL显示面板1的总体电路配置的框图。 如图1的框图中所示，该有机EL显示面板1采用了像素阵列部分3以及位 于像素阵列部分3外围的写入扫描驱动器5和水平选择器7。写入扫描驱动 器5和水平选择器7均用作驱动像素阵列部分3的驱动电路。注意，像素阵 列部分3包含每一个均位于一根数据信号线DTL与一根写扫描线WSL的交 叉点处的像素电路。

顺便提及，每个像素电路中采用的有机EL器件都是发光器件。有机EL 显示面板1采取如下的驱动方法：通过调整流经任意特定一个像素电路中所 采用的有机EL发光器件的驱动电流的量值来控制该特定像素电路的渐变 (gradation)。图2是示出这种像素电路以及每一个均用于驱动该像素电路的驱 动电路的最简配置的电路示意图。如该电路示意图中所示，像素电路包含信 号采样晶体管T1、器件驱动晶体管T2、信号保持电容器Cs及有机EL发光 器件OLED。

注意，信号采样晶体管T1是用于控制将与像素电路的渐变相对应的视频 信号电势Vsig存储至该像素电路中采用的信号保持电容器Cs的操作的薄膜 晶体管。另一方面，器件驱动晶体管T2是用于为有机EL发光器件OLED提 供具有由栅源电压Vgs(其与信号保持电容器Cs中存储的视频信号电势Vsig 相对应)所确定的量值的驱动电流Ids的薄膜晶体管。在本发明说明书中， 驱动电流Ids也称为器件驱动晶体管T2生成的漏源电流Ids。栅源电压Vgs 是出现在器件驱动晶体管T2的栅极与源极之间的电压。在图2的示意图中所 示的典型像素电路的情况下，信号采样晶体管T1是N沟道型薄膜晶体管， 而器件驱动晶体管T2是P沟道型薄膜晶体管。

在图2的示意图中所示的典型像素电路的情况下，器件驱动晶体管T2 的源极与用于提供固定高电平电源电势Vcc的电源线相连接。器件驱动晶体 管T2通常工作在饱和区。也就是说，器件驱动晶体管T2作为用于为有机EL 发光器件OLED提供具有栅源电压Vgs(其与信号保持电容器Cs中存储的视 频信号电势Vsig相对应)所确定的量值的驱动电流Ids的恒流源来工作。器 件驱动晶体管T2生成的漏源电流Ids由以下等式表示：

Ids＝k*μ*(Vgs-Vth)²/2

顺便提及，上面给出的等式中所使用的参考标号μ表示器件驱动晶体管 T2中多数载流子的迁移率，而符号Vth表示器件驱动晶体管T2的阈值电压。 参考符号k由以下等式表示：

k＝(W/L)*Cox

在上面给出的等式中，参考符号W表示器件驱动晶体管T2的栅宽，参 考符号L表示器件驱动晶体管T2的栅长，而参考符号Cox表示器件驱动晶 体管T2每单位面积栅电容。

注意，在具有图2的示意图中所示配置的像素电路的情况下，出现在器 件驱动晶体管T2漏极上的电压根据图3的示意图中所示的、如有机EL发光 器件OLED的I-V特性随时间流逝的通常已知变化那样的变化而改变。在以 下描述中，有机EL发光器件OLED的I-V特性随时间流逝的变化称为有机 EL发光器件OLED的I-V特性的老化变化。然而，由于出现在器件驱动晶体 管T2的栅极和源极之间的栅源电压Vgs固定，因此流向有机EL发光器件 OLED的漏源电流Ids的量值不随着时间的流逝而改变，从而可以将有机EL 发光器件OLED所发射的光的亮度保持为恒定值。

描述采取了有源矩阵驱动方法的有机EL显示面板的参考文献如下：日 本专利特许号2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791和 2004-093682。

发明内容

顺便提及，取决于薄膜工艺的类型，图2的电路示意图中所示的电路配 置在某些情况下可能是不可用的。也就是说，通过执行现代薄膜工艺，在某 些情况下不可使用P沟道型薄膜晶体管。在这些情况下需要由N沟道型薄膜 晶体管来替换器件驱动晶体管T2。