[发明专利]防护薄膜组件

说明书

技术领域

本发明是关于一种微影用防护薄膜组件，特别是关于一种在制造LSI、超LSI等半导体装置时用来当作防尘器使用的微影用防护薄膜组件，而且特别是关于一种使用在以高解析度为必要的曝光中且使用在200μm以下的紫外线曝光中的微影用防护薄膜组件。

背景技术

以往在LSI、超LSI等半导体装置或是液晶显示板等产品的制造中，是用光照射半导体晶圆或液晶用原板以制作形成图案，惟若此时所使用的曝光原板有灰尘附着的话，由于该灰尘会吸收光，使光反射，故除了会使转印的图案变形、使边缘变粗糙以外，还会损坏尺寸、品质、外观等，导致半导体装置或液晶显示板等产品的性能恶化或降低制造成品率。

因此，该等作业通常是在无尘室内进行，然而即使是在无尘室内进行，想要经常保持曝光原板清洁仍是相当困难，故吾人遂在曝光原板表面贴合透光性良好的防护薄膜组件作为防尘器使用。

此时，异物并非直接附着于曝光原板的表面上，而是附着于防护薄膜上，故只要在微影时将焦点对准曝光原板的图案，防护薄膜上的异物就不会对转印造成影响。

该防护薄膜组件，是用透光性良好的硝化纤维素、醋酸纤维素等物质构成透明防护薄膜，并以铝、不锈钢、聚乙烯等物质构成防护薄膜组件框架，然后在防护薄膜组件框架的上部涂布防护薄膜的良溶媒，再将防护薄膜风干接合于防护薄膜组件框架的上部所制作而成(参照专利文献1)，或者是用丙烯酸树脂或环氧树脂等的接合剂接合(参照专利文献2、专利文献3、专利文献4)，并在防护薄膜组件框架的下部设置由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂、硅氧树脂等物质所构成的黏着层以及保护该黏着层的脱模层(隔离部)。

近年来，微影的解析度逐渐提高，且为了实现该解析度，逐渐使用短波长光作为光源。具体而言是向紫外光的g线(436nm)、I线(365nm)、KrF准分子雷射(248nm)移动，近年开始使用ArF准分子雷射光(193nm)。

由于该等短波长光的光能量很大，现有纤维素是薄膜材料很难确保充足的耐光性。因此，在KrF准分子雷射之后薄膜材料换成透明氟树脂。

若光罩长时间使用，则会在表面上析出异物，使图案劣化。其原因在于：空气中气体成份发生反应而在光罩表面上形成固体，该固体逐渐累积成为会转印的累积性异物(雾霭)。又，也会有光罩表面的残留离子或是残留有机成份发生反应而累积成异物的情况。特别是在使用KrF、ArF这种短波长光进行曝光时，由于会吸收短波长光的物质很多，故在曝光中该等物质会吸收光并进入活性化状态而加速异物的生成。

因此，在进行半导体曝光步骤的环境中，若能控制空气中的离子浓度或有机成份的浓度，便能抑制累积性异物产生。

又，特别是在使用ArF进行曝光时，多会产生硫酸铵这种累积性异物。在光罩制造步骤中，一般在光罩洗净步骤是使用硫酸或氨，若该这些药剂残留在光罩表面上，这些残留物便会在之后的曝光步骤中反应变成累积性异物。因此，吾人开始在光罩洗净步骤中限制硫酸或是氨的使用，而改使用臭氧水进行洗净(参照专利文献5)。

另外，若观察防护薄膜组件，一般而言防护薄膜组件框架是使用铝合金。然后该铝框架的表面经过某种阳极氧化处理，例如黑色氧皮铝处理。由于氧皮铝处理一般是使用硫酸，故可从该等防护薄膜组件框架侦测硫酸成份。又若在氧皮铝处理中使用硫酸以外的酸，则在氧皮铝层中便会残留该酸成份。

如是，经过氧皮铝处理的防护薄膜组件框架，会在氧皮铝层中残留硫酸等酸成份，残留的酸成份，在防护薄膜组件贴合到光罩上的时候，可能会使光罩上产生累积性异物。

又，在黑色氧皮铝处理中一般是使用偶氮染料作为黑色染料。从偶氮染料能侦测到氨离子这种杂质。该氨离子也很有可能成为作为累积性异物代表的硫酸铵的产生原因。如是，经过黑色氧皮铝处理的框架，若进行离子分析，则可侦测到硫酸离子、氨离子，会对抑制硫酸铵这种累积性异物产生造成影响。

【专利文献1】日本特开昭58-219023号公报

【专利文献2】美国专利第4861402号说明书

【专利文献3】日本特公昭63-27707号公报

【专利文献4】日本特开平7-168345号公报

【专利文献5】日本特开2001-96241号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

有鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件框架，其不含有会产生累积性异物的因子。

[解决问题的技术手段]