[发明专利]曝光对准方法和曝光设备无效

专利信息
申请号: 200910138942.5 申请日: 2009-05-21
公开(公告)号: CN101587307A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 山中英一郎 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20;G05D3/12
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 曝光 对准 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种曝光对准方法,包括:

确定第一偏移量,所述第一偏移量表示曝光目标衬底的下层图案从初始点位置的偏移量;

确定第二偏移量,所述第二偏移量表示在处理所述曝光目标衬底之前已经处理了的至少一个过去批次中的下层图案从初始点位置的偏移量;

计算第三偏移量,所述第三偏移量表示第一偏移量和第二偏移量之间的差;

基于第三偏移量,确定第一校正值;以及

基于第一校正值,调节曝光目标图案的曝光位置。

2.根据权利要求1所述的曝光对准方法,其中在所述曝光目标衬底上形成包括下层图案的多个图案,

其中所述曝光对准方法还包括:

基于对应于每个图案的下层图案确定第四偏移量,所述第四偏移量表示多个层的图案中的每个的偏移量,并且

其中所述确定第一偏移量包括:

通过对多个层的图案的第四偏移量求和,确定第一偏移量。

3.根据权利要求2所述的曝光对准方法,其中存在多个过去批次,并且

所述确定第二偏移量包括:

确定在多个过去批次的每个中下层图案从初始位置的偏移量,作为第六偏移量;以及

计算多个过去批次的第六偏移量的平均值作为第二偏移量。

4.根据权利要求2所述的曝光对准方法,其中所述确定第四偏移量包括:

当不存在对应于第n层图案的下层图案时进行计算,基于当曝光具有第n层图案作为下层图案的第n+α层图案时应用的曝光位置的校正值和表示实际形成的第n+α层图案的位置的值之间的差,确定第n层的第四偏移量。

5.根据权利要求1所述的曝光对准方法,还包括:

基于当在所述至少一个过去批次中对曝光目标图案曝光时应用的曝光位置的校正值和在所述至少一个过去批次中实际形成的曝光目标图案从下层图案的偏移量之间的差,确定最佳校正值,使得曝光目标图案从下层图案的偏移量为0,

其中所述确定第一校正值包括:

基于最佳校正值,计算第一校正值。

6.一种曝光设备,包括:

存储单元;

曝光单元;

偏移量测量单元,所述偏移量测量单元被构造为测量第一偏移量作为曝光目标衬底的下层图案从初始点位置的偏移量,测量第二偏移量作为在所述曝光目标衬底被处理之前已经被处理的至少一个过去批次中的下层图案从初始点位置的偏移量,并且在所述存储单元中进行存储;以及

曝光对准调节部件,所述曝光对准调节部件被构造成读出第一偏移量和第二偏移量,以计算表示第一偏移量和第二偏移量之间的差的第三偏移量,以基于第三偏移量来确定第一校正值,并基于第一校正值来调节所述曝光单元,以便调节曝光目标图案的曝光位置。

7.根据权利要求6所述的曝光设备,其中在所述曝光目标衬底上形成包括下层图案的多个图案,

其中基于对应于每个图案的下层图案,所述曝光对准调节部件确定表示多个层的图案的每个的偏移量的第四偏移量,并且在没有测量的情况下,通过对多个层的图案的第四偏移量求和来确定第一偏移量。

8.根据权利要求7所述的曝光设备,其中存在多个过去批次,并且

所述曝光对准调节部件确定在多个过去批次的每个中下层图案从初始点位置的偏移量作为第六偏移量,并在没有测量的情况下,计算多个过去批次的第六偏移量的平均值作为第二偏移量。

9.根据权利要求7所述的曝光设备,其中所述曝光对准调节部件当不存在与第n层图案对应的下层图案时进行计算,基于当曝光具有第n层图案作为下层图案的第n+α层图案时应用的曝光位置的校正值和表示实际形成的第n+α层图案的位置的值之间的差,确定第n层的第四偏移量。

10.根据权利要求6所述的曝光设备,还包括:

最佳校正值确定部件,所述最佳校正值确定部件被构造成:基于当在所述至少一个过去批次中对曝光目标图案曝光时应用的曝光位置的校正值和在所述至少一个过去批次中实际形成的曝光目标图案从下层图案的偏移量之间的差,确定最佳校正值,使得曝光目标图案从下层图案的偏移量为0,

其中所述曝光对准调节部件基于最佳校正值计算第一校正值。

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