[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200910138955.2 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101651181A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 余振华;林宏远;邱文智;陈鼎元;余佳霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/13 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管元件，包括：
一基板，该基板为一硅基板；
凹陷区，形成于该基板中；
发光二极管结构，形成于该凹陷区内，该发光二极管结构延伸覆盖该凹陷区侧壁；以及
一分离区，形成于该凹陷区底部。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构包括一第一接合层，形成于该凹陷区侧壁，一有源层，覆盖该第一接合层，以及一第二接合层，覆盖该有源层。
3.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该第一接合层具有一非坦覆性表面。
4.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该第一接合层具有一平面并填入该凹陷区。
5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构延伸覆盖相邻凹陷区间的该基板上表面。
6.一种发光二极管元件，包括：
一基板，包括凹陷区，形成于该基板中；
发光二极管结构，形成于该凹陷区内，该发光二极管结构覆盖该凹陷区侧壁；以及
一分离区，形成于该凹陷区底部。
7.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中每一该发光二极管结构包括一第一接合层，形成于该凹陷区侧壁，一有源层，覆盖该第一接合层，以及一第二接合层，覆盖该有源层。
8.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构延伸覆盖相邻凹陷区间的该基板上表面。
9.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构具有一平面。
10.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该发光二极管结构具有一上表面，与该凹陷区一致。
11.一种发光二极管元件，包括：
一基板；
凹陷区，形成于该基板中；
一分离层，形成于该凹陷区底部；
一第一接合层，覆盖该凹陷区侧壁，该第一接合层具有一平面，且该第一接合层于相邻凹陷区间为一连续层；
一有源层，覆盖该第一接合层；以及
一第二接合层，覆盖该有源层。
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