[发明专利]衬底保持设备有效
申请号: | 200910139060.0 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101582388A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 金子一秋;田中洋;池田真义;涩谷阳介 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张 涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 保持 设备 | ||
1.一种衬底保持设备,包括:
构造成保持衬底的衬底保持机构;
加热机构;以及
热传导构件,所述热传导构件插入所述衬底保持机构和所述加热机构之间以与所述衬底保持机构和所述加热机构接触,并将由所述加热机构产生的热传导至所述衬底保持机构,
其中所述热传导构件通过在盘状片材部分上堆叠中心被钻孔的环状片材部分而形成,并包括位于外周边部分上的凸起和位于内周边部分上的凹部。
2.根据权利要求1所述的设备,其中多个弹性锁定构件将所述衬底保持机构的外边缘固定至所述加热机构。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述衬底保持机构通过静电力卡紧且保持所述衬底。
4.根据权利要求1所述的设备,其中
所述衬底保持机构在其上表面中设有凹槽,当布置所述衬底时所述凹槽相对于所述衬底的下表面形成一空间,以及
所述热传导构件的所述外周边部分上的凸起包括与所述凹槽相连通的气体通道,所述气体通道向所述衬底的下表面下方的所述空间供应惰性气体。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述凹槽和所述气体通道形成在所述衬底保持机构的外周边侧和/或中心。
6.根据权利要求4所述的设备,其中可伸展的弹性柱形构件形成在所述气体通道的内壁部分上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造