[发明专利]具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头

权利要求书

1.一种薄膜磁头，所述薄膜磁头包含：

MR层压体，所述MR层压体由其磁化方向响应外部磁场而变化的第 一MR磁性层、非磁性中间层和其磁化方向响应外部磁场而变化的第二 MR磁性层组成，其中所述第一MR磁性层、所述非磁性中间层和所述第 二MR磁性层依次相互接触；

第一和第二屏蔽层，所述第一和第二屏蔽层分别面向所述第一MR磁 性层和所述第二MR磁性层设置，并且所述第一和第二屏蔽层以在垂直于 所述MR层压体的膜表面的方向上将所述MR层压体夹在中间的状态排 列，并且所述第一和第二屏蔽层还起到电极的作用，用于使感应电流在垂 直于所述MR层压体的膜表面的方向上流动，在磁轨宽度方向和与气垫表 面垂直的方向两个方向上所述第一和第二屏蔽层均比所述MR层压体长； 以及

偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在所述MR层压体的所述气 垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于所述ABS气垫表面的偏磁场，其 中

所述第一屏蔽层包含：

第一交换耦合磁场施加层，所述第一交换耦合磁场施加层被设置 为面向所述第一MR磁性层，并且在平行于所述ABS气垫表面的方向上 向所述第一MR磁性层施加交换耦合磁场；和

第一反铁磁性层，所述第一反铁磁性层被设置为在从所述第一 MR磁性层看的所述第一交换耦合磁场施加层的背面上与所述第一交换耦 合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与所述第一交换耦合磁场施 加层交换耦合，并且

所述第二屏蔽层包含：

第二交换耦合磁场施加层，所述第二交换耦合磁场施加层被设置 为面向所述第二MR磁性层，并且向所述第二MR磁性层施加交换耦合磁 场，所述交换耦合磁场在与所述ABS气垫表面平行的方向上，并且在与 由所述第一交换耦合磁场施加层向所述第一MR磁性层所施加的交换耦合 磁场反平行的方向上，和

第二反铁磁性层，所述第二反铁磁性层被设置为在从所述第二 MR磁性层看的所述第二交换耦合磁场施加层的背面上与所述第二交换耦 合磁场施加层接触，并且所述第二反铁磁性层与所述第二交换耦合磁场施 加层交换耦合。

2.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述第一和第二反铁磁性 层分别包含选自Fe-Mn、Ni-Mn、Ir-Mn、Pt-Mn和Pd-Pt-Mn中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的薄膜磁头，其中所述第一和第二交换耦合 磁场施加层分别包含CoFe合金层，所述CoFe合金层被设置为分别与所述 第一和第二反铁磁性层接触。

4.根据权利要求2所述的薄膜磁头，其中所述第一和第二交换耦合 磁场施加层中仅有一个包含一对铁磁性层和非磁性导电层，所述一对铁磁 性层在所述非磁性导电层的两侧上彼此反铁磁性地耦合。

5.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述第一和第二交换耦合 磁场施加层的厚度各自在5～80nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述MR层压体包括第一 交换耦合传输层，所述第一交换耦合传输层由包括至少一个钌(Ru)层的磁 性层组成，并且在所述第一MR磁性层和所述第一交换耦合磁场施加层之 间和/或在所述第二MR磁性层和所述第二交换耦合磁场施加层之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述MR层压体包括第一 交换耦合传输层，所述第一交换耦合传输层由钌(Ru)层组成，并且在所述 第一MR磁性层和所述第一交换耦合磁场施加层之间以及在所述第二MR 磁性层和所述第二交换耦合磁场施加层之间中的至少一处。

8.一种滑橇，所述滑橇配置有根据权利要求1所述的薄膜磁头。

9.一种晶片，在所述晶片上形成层压体，所述层压体被构造为根据 权利要求1所述的薄膜磁头。

10.一种磁头悬挂组件，所述磁头悬挂组件包含根据权利要求8所述 的滑橇和用于弹性支撑所述滑橇的悬架。

11.一种硬盘设备，所述硬盘设备包含根据权利要求8所述的滑橇和 用于支撑所述滑橇并且使所述滑橇相对于记录介质定位的设备。