[发明专利]像素单元与其制造方法

权利要求书

1.一种像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成一薄膜晶体管于一基板上；

全面性地形成一保护层于所述基板上，以覆盖所述薄膜晶体管，其中所述保护层包括多层彼此堆迭的薄膜，且至少其中一层薄膜的刻蚀率高于其他薄膜的刻蚀率；

形成一图案化光阻层于所述保护层上；

以所述图案化光阻层为掩膜，移除未被所述图案化光阻层覆盖的部分所述保护层，以形成一图案化保护层，其中所述图案化保护层具有一位于其侧壁的底切结构，所述底切结构为通过对所述保护层进行刻蚀而形成；

形成一电极材料层，以覆盖所述基板、所述薄膜晶体管以及所述图案化光阻层，其中所述电极材料层于所述底切结构处断开，以暴露所述底切结构；以及

令一剥除液从所述底切结构处渗入所述图案化光阻层与所述图案化保护层之间，使所述图案化光阻层以及覆盖于所述图案化光阻层上的部分所述电极材料一并被掀离，以形成与所述薄膜晶体管电连接的一像素电极。

2.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，全面性地形成所述保护层之前，更包括形成一储存电容器于所述基板上。

3.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的形成方法包括：

形成一栅极于所述基板上；

形成一栅介电层于所述基板上，以覆盖所述栅极；

形成一半导体层于所述栅介电层上，其中所述半导体层位于所述栅极上方；

形成一源极以及一漏极于所述半导体层上，其中所述图案化保护层将部份所述漏极暴露。

4.如权利要求3所述的像素单元的制造方法，其特征在于，在形成所述薄膜晶体管时，更包括形成一储存电容器于所述基板上，而形成所述储存电容器的方法包括：

形成一第一电容电极于所述基板上，其中所述第一电容电极被所述栅介电层覆盖；以及

于所述栅介电层上形成一第二电容电极，其中所述图案化保护层将部份第二电容电极暴露。

5.如权利要求4所述的像素单元的制造方法，其特征在于，形成所述第一电容电极与所述栅极一并形成，而所述第二电容电极与所述源极以及所述漏极一并形成。

6.如权利要求4所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述像素电极直接电连接于所述漏极以及所述第二电容电极之间。

7.如权利要求1所述的像素单元的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：

全面性地形成一第一薄膜于所述基板上，以覆盖所述薄膜晶体管；以及

全面性地形成一第二薄膜于所述第一薄膜上，其中所述第一薄膜的刻蚀率与所述第二薄膜的刻蚀率不同。

8.如权利要求7所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜的刻蚀率大于所述第二薄膜的刻蚀率。

9.如权利要求8所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜为一多孔性薄膜，而所述第二薄膜为一非多孔性薄膜。

10.如权利要求9所述的像素单元的制造方法，其特征在于，当以六氟化硫、氧气以及氦气的混合气体作为刻蚀气体时，所述多孔性薄膜的刻蚀率介于301埃/秒至600埃/秒，而所述非多孔性薄膜的刻蚀率介于1埃/秒至300埃/秒。

11.如权利要求7所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜的刻蚀率小于所述第二薄膜的刻蚀率。

12.如权利要求10所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜为一非多孔性薄膜，而所述第二薄膜为一多孔性薄膜。

13.如权利要求12所述的像素单元的制造方法，其特征在于，当以六氟化硫、氧气以及氦气的混合气体作为刻蚀气体时，所述多孔性薄膜的刻蚀率介于301埃/秒至600埃/秒，而所述非多孔性薄膜的刻蚀率介于1埃/秒至300埃/秒。

14.如权利要求7所述的像素单元的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的方法更包括：

全面性地形成一第三薄膜于所述第二薄膜上。

15.如权利要求14所述的像素单元的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜的刻蚀率小于所述第二薄膜的刻蚀率，所述第二薄膜的刻蚀率小于所述第三薄膜的刻蚀率。