[发明专利]具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件

权利要求书

1.一种存储器单元晶体管，包括：

有源区，所述有源区在第一延伸方向上伸长；

所述有源区上的隧道层，所述隧道层包括第一隧道绝缘层、所述 第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层和所述第二隧道绝缘层上的第三 隧道绝缘层；

所述隧道层上的电荷储存层；

所述电荷储存层上的阻挡绝缘层；以及

所述阻挡绝缘层上的控制栅电极，所述控制栅电极在横向于所述 第一延伸方向的第二延伸方向上伸长，所述有源区在所述第二延伸方 向上具有第一宽度，所述第二隧道绝缘层在所述第二延伸方向上具有 第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。

2.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第二隧道绝 缘层包括下述材料，该材料具有低于第一隧道绝缘层材料和第三隧道 绝缘层材料的带隙值的带隙值。

3.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第二隧道绝 缘层包括下述材料，该材料具有高于第一隧道绝缘层材料和第三隧道 绝缘层材料的介电常数值的介电常数值。

4.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第二隧道绝 缘层的所述第二宽度大于所述有源区的所述第一宽度，以便充分地增 加在所述电荷储存层和所述有源区之间的沿所述隧道层侧面边界的边 缘泄漏路径的长度，从而在所述存储器单元晶体管的编程和擦除操作 期间使所述隧道层的边缘区域处的电子或空穴的隧穿最小。

5.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第二隧道绝 缘层的所述第二宽度充分地小于所述有源区的第一宽度，从而在所述 存储器单元晶体管的编程和擦除操作期间使所述有源区的边缘区域处 的电子或空穴的隧穿最小。

6.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述有源区的所 述第一宽度大于所述隧道层的所述第二隧道绝缘层的所述第二宽度。

7.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述有源区的所 述第一宽度小于所述隧道层的所述第二隧道绝缘层的所述第二宽度。

8.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存层 在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的所 述第三宽度等于所述有源区的所述第一宽度。

9.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存层 在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的所 述第三宽度大于所述有源区的所述第一宽度。

10.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存 层在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的 所述第三宽度小于所述有源区的所述第一宽度。

11.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存 层在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的 所述第三宽度等于所述隧道层的所述第二隧道绝缘层的所述第二宽 度。

12.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存 层在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的 所述第三宽度大于所述隧道层的所述第二隧道绝缘层的所述第二宽 度。

13.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述电荷储存 层在所述第二延伸方向上具有第三宽度，并且其中所述电荷储存层的 所述第三宽度小于所述隧道层的所述第二隧道绝缘层的所述第二宽 度。

14.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述有源区在 所述第一延伸方向上伸长，并且其中所述第一延伸方向和所述第二延 伸方向相互垂直。

15.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第二隧道 绝缘层和所述电荷储存层是相同的材料。

16.如权利要求1所述的存储器单元晶体管，其中所述第一隧道 绝缘层包括氧化硅，其中所述第二隧道绝缘层包括氮化硅，并且其中 所述第三隧道绝缘层包括氧化硅。