[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上， 形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生 成已处理衬底；以及

第二步骤，沉积氮化物半导体分层结构部分，该部分包括在所述刻槽区 域中和在所述脊部分表面上的至少一种类型的氮化物半导体薄膜，

其中，在所述第一步骤中，以网格形状形成所述刻槽区域，并且所述刻 槽区域彼此平行且彼此间以变化的间距形成以形成多个具有变化面积的非 刻槽区域；和

其中，在所述第二步骤中，所述氮化物半导体分层结构部分的表面的设 置于所述脊部分上的部分具有平坦部分，且设置在非刻槽区域上的氮化物分 层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面的 所述平坦部分测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。

2.一种半导体器件，包括：

已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处 理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽 区域的脊部分；以及

氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜， 且沉积在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上，

其中，在所述已处理衬底上，所述刻槽区域以网格形状形成，并且所述 刻槽区域彼此平行且彼此间以变化的间距形成以形成多个具有变化面积的 非刻槽区域；和

其中，所述氮化物半导体分层结构部分的表面的设置于所述脊部分上的 部分具有平坦部分，且设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊 部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面的所述平坦部分测量 的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。