[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

第一半导体层，沿第一方向延伸；

第二半导体层，平行于所述第一半导体层延伸并与所述第一半导体层分隔开；

隔离层，在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

第一控制栅极电极，在所述第一半导体层与所述隔离层之间；

第二控制栅极电极，在所述第二半导体层与所述隔离层之间，其中所述第二控制栅极电极和所述第一控制栅极电极分别设置在所述隔离层的相反侧；

第一电荷存储层，在所述第一控制栅极电极与所述第一半导体层之间；以及

第二电荷存储层，在所述第二控制栅极电极与所述第二半导体层之间。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：

第一隧穿绝缘层，在所述第一电荷存储层与所述第一半导体层之间；和

第二隧穿绝缘层，在所述第二电荷存储层与所述第二半导体层之间。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器，还包括：

第一阻挡绝缘层，在所述第一电荷存储层与所述第一控制栅极电极之间；和

第二阻挡绝缘层，在所述第二电荷存储层与所述第二控制栅极电极之间。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器，其中所述第一控制栅极电极包括与所述第一半导体层间隔开且在所述第一方向随所述第一半导体层延伸的多个第一控制栅极电极，以及

所述第二控制栅极电极包括与所述第二半导体层间隔开且在所述第一方向随所述第二半导体层延伸的多个第二控制栅极电极。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器，其中所述隔离层包括间隔开的多个隔离层段，该多个隔离层段与所述多个第一控制栅极电极和对面的所述多个第二控制栅极电极对准。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器，其中所述第一电荷存储层延伸越过所述多个第一控制栅极电极，所述第二电荷存储层延伸越过所述多个第二控制栅极电极。

7.一种多层垂直堆叠的非易失性存储器，包括：

垂直堆叠使得一个单层堆叠在另一单层顶部的多个单层，其中每个单层通过第一半导体层和第二半导体层的交替布置而形成在相同的横平面；

其中每个第一半导体层平行于相应的第二半导体层延伸并通过隔离层与所述第二半导体层分隔开；

第一控制栅极电极设置在所述第一半导体层与所述隔离层之间，并且第二控制栅极电极设置在所述第二半导体层与所述隔离层之间，使得所述第二控制栅极电极和所述第一控制栅极电极分别设置在所述隔离层的相反侧；

第一电荷存储层设置在所述第一控制栅极电极与所述第一半导体层之间，第二电荷存储层设置在所述第二控制栅极电极与所述第二半导体层之间。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器，还包括：

第一隧穿绝缘层，设置在所述第一电荷存储层与所述第一半导体层之间；和

第二隧穿绝缘层，设置在所述第二电荷存储层与所述第二半导体层之间。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器，还包括：

第一阻挡绝缘层，设置在所述第一电荷存储层与所述第一控制栅极电极之间；和

第二阻挡绝缘层，设置在所述第二电荷存储层与所述第二控制栅极电极之间。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器，其中所述第一控制栅极电极包括与所述第一半导体层间隔开且在所述第一方向随所述第一半导体层延伸的多个第一控制栅极电极，以及

所述第二控制栅极电极包括与所述第二半导体层间隔开且在所述第一方向随所述第二半导体层延伸的多个第二控制栅极电极。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器，其中所述隔离层包括连续的隔离层，该连续的隔离层向上延伸穿过所述多层垂直堆叠的非易失性存储器且将所述多个第一控制栅极电极与对面的所述多个第二控制栅极电极分隔开。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器，其中所述第一电荷存储层向上连续地延伸穿过所述多层垂直堆叠的非易失性存储器且越过所述多个第一控制栅极电极，所述第二电荷存储层向上连续地延伸穿过所述多层垂直堆叠的非易失性存储器且越过所述多个第二控制栅极电极。