[发明专利]第三族氮化合物萧特基二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910140067.4 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101944540A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈冠廷;李家铭 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/082;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第三 氮化 合物萧特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：包括：
导电基板，其中该导电基板具有第一表面与位于其相对侧的第二表面；
缓冲层及半导体层依序堆栈于该第一表面上，以形成岛状区块，其中该半导体层以第三族氮化合物组成；
第一电极，其位于该区块上；以及
第二电极，其可与该第一表面或该第二表面其中之一接触。
2.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该导电基板包含硅基板、N型掺杂的硅基板、砷化镓基板、或碳化硅基板。
3.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该缓冲层的材料包含氮化铝镓化合物、或其类似第三族氮化合物。
4.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该缓冲层的厚度界于10埃至1000埃之间。
5.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该第二电极的材料包含铝或其类似金属。
6.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该第三族氮化合物包括氮化镓。
7.如权利要求1所述的第三族氮化合物萧特基二极管，其特征在于：该半导体层的厚度界于1微米至10微米之间。
8.一种萧特基二极管的制造方法，其特征在于：包括：
提供导电基板，其具有第一表面与位于其相对侧的第二表面；
在该第一表面上形成岛状区块，其包含缓冲层及半导体层，其中该半导体层以第三族氮化合物组成；
在该区块上形成第一电极；以及
在该第一表面上或该第二表面上其中之一形成第二电极。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该导电基板包含硅基板、N型掺杂的硅基板、砷化镓基板、或碳化硅基板。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该第二电极与该第一表面接触，且位于邻近该区块的位置。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该第二电极与该第二表面接触，且位于该区块的相对侧。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该缓冲层的厚度界于10埃至1000埃之间。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于：该第二电极的材料包含铝或其类似金属。
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