[发明专利]用于交流驱动的发光装置有效
申请号: | 200910140354.5 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN101839403A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 苏骅;周锡烟;李裕民;胡裕周;黄志伟;郑子淇 | 申请(专利权)人: | 英特明光能股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V23/00;F21V9/10;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;王青芝 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 交流 驱动 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于交流驱动的发光装置,尤其提供至少一个直流驱动发光二极管晶粒与至少一个交流驱动发光二极管晶粒,而达到具有稳定电压、提高演色性及提高发光效率的结构。
背景技术
参考图1,其为美国专利第US6957899号的发光二极管阵列的示意图。发光二极管阵列1包含交流电供应器12、第一发光二极管阵列14以及第二发光二极管阵列18。图中,第一发光二极管阵列14以及第二发光二极管阵列18由多个微型发光二极管晶粒(micro-LED chip)以串接的方式排列于同一平面10上。当施以交流正半波周期(positive half wave period)时,驱动第一发光二极管阵列14发光,当施以交流负半波周期(negative halfwave period)时,驱动第二发光二极管阵列18发光。一般而言,各国使用的市电,其交流频率为50~60Hz,高于人眼视觉暂留所需的频率。如此,使得人眼无法分辨发光二极管阵列1中,所述第一及第二发光二极管阵列14、18交互地发光而达到应用的目的。
目前氮化镓系发光二极管晶粒制造工艺的良品率并无法保证每个微型发光二极管晶粒的光电特性均匀一致且发光效率无法达到100%,由此施予交流电压驱动第一发光二极管阵列14发光时,不仅产生光也会产生热。所以,温度及电压特性容易产生偏移,造成发光均匀性不佳。又当外加交流电压产生突波时,也容易造成发光装置中的发光二极管晶粒烧毁,其信赖性产生极大问题,因此仍有缺陷。
针对上述美国专利第US6957899号的缺点,参考图2,其为中国台湾专利公开第200826320号的发光装置示意图。所述发光装置揭示至少一种修正电路20用作交流驱动发光二极管组件21操作时的温度及电压补偿电路,并可达到吸收突波的效果。然而,该专利所揭示的技术内容无法补偿发光时的演色性,因此仍有缺陷。
参考图3,其为美国公开专利第US2008083929号的发光二极管组件示意图。为了提高交流或直流驱动发光二极管组件操作时的信赖性,在发光二极管晶粒制造工艺中加入了至少一个限流(current limit)电阻30用以保护发光二极管阵列31。然而,所述限流电阻30无法发光且无法提供补偿演色性的功效,因此仍有缺陷。
参考图4,其为美国公开专利第US2008218098号的发光组件示意图。为了提高交流驱动发光二极管组件操作时的信赖性,加入了由另一组发光二极管所形成的桥式整流电路(bridge rectifying circuit)40以保护发光二极管阵列41。然而,所述桥式整流电路40直接制作于发光二极管阵列41所使用的基板之上,且位于外缘部份。换句话说,所述发光二极管阵列41与所述桥式整流电路40在同一晶粒的制造工艺中完成,且所述桥式整流电路40不仅可以具有交流转直流的功效,还能够发光。但这种方法无法在同一基板之上单以晶粒制造工艺同时制作出不同发光波长的发光二极管组合。所以,无法提供补偿演色性的功效,因此仍有缺陷。
发明内容
本发明是为了能够兼顾解决上述各种问题而提出的,本发明的目的就在于提供一种可应用于交流驱动的发光装置,包括:支架,至少一个交流驱动用发光二极管阵列以及至少一个采用分离型式的补偿电路。
本发明的又一目的在于提供一种具有由直流驱动用发光二极管晶粒所形成的桥式串接补偿电路且独立于交流驱动用发光二极管晶粒的封装结构,不仅具有稳定电压及补偿演色性的功效,还可增加交流驱动发光装置的发光效率。
本发明的另一目的在于提供一种可应用于交流驱动的白光发光装置,包括:支架,至少一个交流驱动用发光二极管晶粒,至少一个桥式串接的直流驱动用发光二极管晶粒以及至少一个荧光粉及封装覆盖胶体。
本发明的另一目的还在于提供一种具有稳定电压及补偿演色性的功效且应用于交流驱动的白光发光装置。
附图说明
图1为现有技术的发光二极管阵列的示意图;
图2为现有技术的发光二装置的示意图;
图3为现有技术的发光二极管组件的示意图;
图4为现有技术的发光组件的示意图;
图5为本发明的封装结构的示意图;
图6为本发明的支架的电路设计截面的示意图;
图7为本发明的实施例的等效电路的示意图;
图8为本发明的实施例的各组件配置的立体示意图;
图9为本发明的实施例的第一发光二极管晶粒示意图;
图10为本发明的另一实施例的示意图;以及
图11为本发明的又一实施例的示意图。
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