[发明专利]陶瓷粉体组合物及使用该组合物的光电装置的基板

权利要求书

1.一种陶瓷粉体组合物，包含：

4～97wt％的锆石；以及

60wt％以下的二氧化硅与80wt％以下的三氧化二铝的至少其中之一。

2.根据权利要求1所述的陶瓷粉体组合物，包含：

4～85wt％的锆石；

4～60wt％的二氧化硅；以及

10～80wt％的三氧化二铝。

3.根据权利要求1所述的陶瓷粉体组合物，包含：

4～80wt％的锆石；

5～28wt％的二氧化硅；以及

14～68wt％的三氧化二铝。

4.根据权利要求1、2或3所述的陶瓷粉体组合物，更包含不大于20wt％的第一氧化物，该第一氧化物是选自下列所组成的族群的至少其中之一：氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、三氧化二硼、与五氧化二磷。

5.根据权利要求1、2或3所述的陶瓷粉体组合物，更包含小于5wt％的第二氧化物，该第二氧化物是选自下列所组成的族群的至少其中之一：氧化二锂、氧化二钠、氧化二钾、氧化铅、与三氧化二铁。

6.一种光电装置的基板，是由根据权利要求1、2或3所述的陶瓷粉体组合物烧结而成的陶瓷基板。

7.根据权利要求6所述的光电装置的基板，其中该陶瓷基板具有一第一结晶相与一第二结晶相，该第一结晶相为锆石的结晶相、该第二结晶相是选自下列物质的至少其中之一的结晶相：二氧化硅、三氧化二铝与二氧化锆。

8.根据权利要求6所述的光电装置的基板，更包含沉积于该陶瓷基板上的一非绝缘体膜层，该非绝缘体膜层在室温至900℃之间的热膨胀系数为1～8x10^-6/℃。

9.根据权利要求6所述的光电装置的基板，其中该第二结晶相更包含富铝红柱石的结晶相。

10.根据权利要求6所述的光电装置的基板，其经烧结后的该陶瓷基板中包含小于20wt％的玻璃相。

11.根据权利要求8所述的光电装置的基板，其中该非绝缘体膜层是选自下列族群中的半导体或导体物质的至少一种所构成：Si、Ge、SiGe、InGaN、GaN、CIGS(Cu-In-Ga-Se)、ITO、AZO、与GZO。

12.根据权利要求6所述的光电装置的基板，其中该陶瓷基板的表面粗糙度为500nm或以下。