[发明专利]制作氮化物半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种制作氮化物半导体发光器件的方法，

该器件包括：

氮化物半导体衬底，在它的顶面上形成有槽和脊并以条形延伸；以及

氮化物半导体生长层，在氮化物半导体衬底顶上且具有在彼此顶上的n 型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层，

该方法包括：

第一步，通过形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个 大于或等于10μm宽的平坦区，从而使槽上的氮化物半导体生长层的高度小 于脊上的氮化物半导体生长层的高度；以及

第二步，在形成于第一步的平坦区中的氮化物半导体生长层的表面上， 形成一个抬高的脊条形部分，

其中在氮化物半导体衬底上形成的槽的深度大于或等于3μm但又小于 或等于20μm，

其中脊的宽度大于或等于70μm但又小于或等于1200μm，以及

其中在氮化物半导体衬底上形成的槽的宽度大于或等于50μm但又小于 或等于1200μm。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中槽截面的形状是矩形；或者是倒锥形，从而槽在开口处的宽度小于 其底部的宽度；或者是正锥形，从而槽在开口处的宽度大于其底部的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中氮化物半导体衬底顶面的偏角为0.2°或更小。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中在平坦区内形成脊条形部分，并距离平坦区的边缘5μm或更远。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中在平行于脊条形部分的方向上，至少与脊条形部分距离20μm远执 行分割。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中形成于槽或脊上的氮化物半导体发光器件至少包括脊条形部分，且 在不包含槽和脊之间形成的台阶部分的位置被分割。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中形成于槽或脊上的氮化物半导体发光器件至少包括脊条形部分，且 在包含槽和脊之间形成的台阶部分的位置被分割。