[发明专利]荧光体和使用荧光体的发光装置有效
申请号: | 200910141118.5 | 申请日: | 2004-11-25 |
公开(公告)号: | CN101628711A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 广崎尚登;上田恭太;山元明 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人物质·材料研究机构;三菱化学株式会社 |
主分类号: | C01B21/00 | 分类号: | C01B21/00;C01B21/082;C04B35/58;C04B35/597;C09K11/80 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 使用 发光 装置 | ||
1.一种荧光体的制备方法,所述荧光体包含无机化合物,该无机化合 物包含M元素、A元素、D元素、E元素和X元素,且具有与CaAlSiN3晶体结构相同的晶体结构,其中,该无机化合物如下获得:制备包含金属 化合物的原料混合物,再将该原料混合物在含有氮的非活性气氛中、在1200 ℃以上2200℃以下的温度范围进行焙烧,所述原料混合物至少含有上述M 元素、A元素、D元素、E元素和X元素,其中M是选自Mn、Ce、Pr、 Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种或两种或多种元素, A是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的一种或两种或多种元素,D是选自Si、Ge 中的一种或两种元素,E是Al,以及X是选自O、N和F的一种或两种或 多种元素。
2.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,金属化合物的混合物 包括含有M的化合物、A元素的氮化物、D元素的氮化物、E元素的氮化 物和含有X的化合物。
3.权利要求2所述的荧光体的制备方法,其中,金属化合物的混合物 至少含有氮化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝。
4.权利要求2所述的荧光体的制备方法,其中,金属化合物的混合物 至少含有氧化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝。
5.权利要求3所述的荧光体的制备方法,其中,金属化合物的混合物 至少含有氮化锶。
6.权利要求4所述的荧光体的制备方法,其中,金属化合物的混合物 至少含有氮化锶。
7.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,气氛气体压力大于 0.1MPa且为1MPa以下。
8.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,以保持在堆积密度40% 以下的填充率的状态将金属化合物的混合粉末填充到容器中,然后进行焙 烧。
9.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,进行焙烧的容器是氮 化硼烧结制品。
10.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,焙烧装置是专门利 用常压焙烧法或气压焙烧法的装置,而不是利用热压的装置。
11.权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,利用选自粉碎、分级 的一种或多种方法将通过焙烧而合成的荧光体粉末的平均粒径调整为粒度 0.1μm以上20μm以下。
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