[发明专利]谐振功率因数校正转换器有效
申请号: | 200910141479.X | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN101588135B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | A·琼格赖斯;P·加里蒂 | 申请(专利权)人: | 弗莱克斯电子有限责任公司 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H02M1/44;H02M1/14;H02M3/28 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,李辉 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 功率因数 校正 转换器 | ||
1.一种功率转换器,包括:
a.单级功率因数校正谐振转换器,其配置成接收输入电压,其中所述单级功率因数校正谐振转换器包括隔离变压器和谐振回路,所述谐振回路包括耦合至所述隔离变压器初级的可变电感器;
b.整流器,其耦合到所述隔离变压器的输出;
c.单个大电容器,其耦合到所述整流器的输出,其中跨所述大电容器的电压是所述单级功率因数校正谐振转换器的直流输出电压,因而提供经由所述整流器耦合到所述隔离变压器的所述输出的单个电压输出总线,并且所述可变电感器被配置为响应于所述直流输出电压而调谐所述谐振回路的谐振频率,从而调整所述直流输出电压;以及
d.耦合到所述大电容器的多个功率转换器,其中耦合到所述大电容器的每个功率转换器配置成独立地控制其输出电压。
2.根据权利要求1所述的功率转换器,其中耦合到所述大电容器的每个功率转换器是非隔离的。
3.根据权利要求1所述的功率转换器,其中每个功率转换器是包括非隔离降压型转换器、非隔离升压型转换器以及回扫转换器的组中的一个。
4.根据权利要求1所述的功率转换器,其进一步包括耦合在所述隔离变压器和所述大电容器之间的抽头开关,其中所述抽头开关配置成增大和减小所述隔离变压器的工作匝数比。
5.根据权利要求4所述的功率转换器,其中所述隔离变压器包括多个次级绕组,并且所述抽头开关将所述多个次级绕组中的一部分耦合到所述大电容器。
6.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述单级功率因数校正谐振转换器包括可切换的桥,该桥配置为在高线路电压情况下操作为半桥转换器并且在低线路电压情况下操作为全桥转换器。
7.根据权利要求1所述的功率转换器,其进一步包括:
a.电磁干扰滤波器;以及
b.桥式整流器,其耦合在所述电磁干扰滤波器的输出与所述单级功率因数校正谐振转换器的输入之间。
8.根据权利要求7所述的功率转换器,其中所述桥式整流器包括多个二极管。
9.根据权利要求7所述的功率转换器,其中所述桥式整流器包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述单级功率因数校正谐振转换器配置成下面组中的一种电路,该组包括:串联谐振电路、并联谐振电路、LLC谐振电路以及串并联谐振电路。
11.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述单级功率因数校正谐振转换器包括下述组中的一种转换器,该组包括:半桥谐振转换器、全桥谐振转换器、推挽式谐振转换器以及正激转换器。
12.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述整流器包括多个二极管。
13.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述整流器包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管。
14.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述隔离变压器配置为降压变压器。
15.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述输入电压是经整流的DC电压,并且每个输出电压是DC电压。
16.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述单级功率因数校正谐振转换器配置成使用软切换进行操作。
17.根据权利要求1所述的功率转换器,其中所述隔离变压器的匝数比配置成适于匹配在制造所述隔离变压器中使用的特定骨架。
18.根据权利要求1所述的功率转换器,其进一步包括控制模块,该控制模块配置成调节所述直流输出电压,并且控制所述可变电感器的值。
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