[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的第一区，所述第一区形成在半导体衬底的表面区 域中；

第二导电类型的源极区，所述源极区形成在所述第一区的表面区 域中；

第二导电类型的第二区，所述第二区形成在所述半导体衬底的表 面区域中；

第二导电类型的漏极区，所述漏极区形成在所述第二区的表面区 域中；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成在所述半导体衬底的正表面上 并且从所述源极区延伸至所述第二区；

场绝缘层，所述场绝缘层形成于在所述漏极区和所述栅极绝缘层 之间的所述半导体衬底的表面区域中；以及

栅极电极，所述栅极电极覆盖一部分所述栅极绝缘层和一部分所 述场绝缘层，

其中，所述场绝缘层在其与所述栅极电极相重叠的上表面的部分 上具有阶梯，并使得在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间的所述场绝缘 层的部分比所述场绝缘层的其它部分更薄，

其中，在相对于存在所述阶梯的所述上表面的部分相反的所述场 绝缘层的下表面的部分上，所述场绝缘层不具有阶梯。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间的所述场绝缘层的所述部分的 最大膜厚度小于在所述阶梯和所述漏极区之间的所述场绝缘层的部分 的最大膜厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间的所述场绝缘层的所述部分具 有与所述半导体衬底的正表面基本上平行的表面。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间的所述场绝缘层的所述部分的 最大膜厚度大于所述栅极绝缘层的膜厚度。

5.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的正表面上形成绝缘层，在所述半导体衬底的表面 区域中形成第二导电类型的第二区，以及在所述第二区的表面区域中 形成场绝缘层；

形成抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜具有包括与所述场绝缘层的部分对 应的开口部分的图形；

通过将所述抗蚀剂膜用作掩模，而去除一部分所述场绝缘层的上 部；

形成栅极电极，以使得所述栅极电极覆盖在所述半导体衬底的所 述正表面上形成的栅极绝缘层的一部分和包括阶梯在内的所述场绝缘 层的一部分，其中，所述场绝缘层在其与所述栅极电极相重叠的上表 面的部分上具有所述阶梯，并使得在所述阶梯和所述栅极绝缘层之间 的所述场绝缘层的部分比所述场绝缘层的其它部分更薄；

在所述半导体衬底的表面区域中形成第一导电类型的第一区；以 及，

在所述第一区的表面区域中形成第二导电类型的源极区，以及在 所述第二区的表面区域中形成第二导电类型的漏极区。

6.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

形成以下各层，其中包括：

在半导体衬底的第一形成区段的正表面上形成第一绝缘层， 而在所述半导体衬底的第二形成区段的正表面上形成第二绝缘层，

在所述第一形成区段的表面区域中形成第二导电类型的第二 区，而在所述第二形成区段的表面区域中形成第二导电类型的第四区， 以及

在所述第二区的表面区域中形成第一场绝缘层，而在所述第 四区的表面区域中形成第二场绝缘层；

在所述第一形成区段中，通过去除所述第一场绝缘层的一部分的 上部和所述第一绝缘层的一部分而形成阶梯；

通过热氧化，在所产生的第一形成区段的正表面上形成第一栅极 绝缘层，并且在所产生的第二形成区段的正表面上形成第二栅极绝缘 层，所述第二栅极绝缘层通过使所述第二绝缘层变厚而获得；

形成第一栅极电极，以使得所述第一栅极绝缘层的一部分和包括 所述阶梯的所述第一场绝缘层的一部分被所述第一栅极电极覆盖，同 时形成第二栅极电极，以使得所述第二栅极绝缘层的一部分和所述第 二场绝缘层的一部分被所述第二栅极电极覆盖；

在所得到的第一形成区段的表面区域中形成第一导电类型的第一 区，在所得到的第二形成区段的表面区域中形成第一导电类型的第三 区；以及

在所述第一区的表面区域中形成第二导电类型的第一源极区，而 在所述第二区的表面区域中形成第二导电类型的第一漏极区，同时， 在所述第三区的表面区域中形成第二导电类型的第二源极区，而在所 述第四区的表面区域中形成第二导电类型的第二漏极区。