[发明专利]用于增加X射线管中的辐射传热的装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910141789.1 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101582365A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | D·钟;D·M·格雷;M·赫伯特;D·M·利普金;T·拉伯;G·A·施泰恩拉格;T·C·蒂尔尼 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01J35/08 | 分类号： | H01J35/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;杨松龄 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 增加 射线 中的 辐射 传热 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于产生x射线(14)的靶组件(56)，包括：
靶基体(57)；以及
施加到所述靶基体(57)的一部分的辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)包含碳化物和碳氮化物中之一或多种。
2.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)还包含稳定氧化物，其包括Al2O3、La2O3、Y2O3、ZrO2和HfO2中之一。
3.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)包括碳化物，所述辐射涂层还包括Mo。
4.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)包括多层的、分级的和复合微结构其中之一。
5.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)是单相材料和多相材料中之一。
6.如权利要求1所述的靶(56)，其中，经由化学汽相沉积(CVD)工艺、物理汽相沉积(PVD)工艺、热/等离子体喷涂工艺、冷喷涂工艺、反应钎焊工艺、钎焊工艺和覆层工艺其中之一来施加所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)。
7.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述碳化物和碳氮化物中之一包括族4元素、族5元素、族6元素和硼其中之一。
8.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)是B4C、TiC、ZrC、HfC、TaC、Mo2C、ZrB2、HfB2、TiCxNy、ZrCxNy和HfCxNy其中之一。
9.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述靶基体(57)包括靶面(99)和外缘(94)，以及其中所述靶组件(56)还包括连到所述靶基体(57)的轴(59)，以及其中所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)施加到所述靶面(99)、所述外缘(94)和所述轴(59)其中之一。
10.如权利要求1所述的靶(56)，其中，所述辐射涂层(67，81，85，89，92，94，97，98)包括碳化物，所述靶组件(56)还包括设置在所述碳化物与所述靶基体(57)之间的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层是Ti、Zr、Hf的氮化物和碳氮化物中之一。
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