[发明专利]电子元件晶片模块及制造、电子元件模块和电子信息装置有效
申请号: | 200910141852.1 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN101593762A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 井田彻;平田荣一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/12;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/78;H04N5/335;G02B5/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;李家麟 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 晶片 模块 制造 电子信息 装置 | ||
1.一种电子元件晶片模块,其中用于覆盖和保护多个电子元件的半 透明支撑基片附着在其上形成有多个电子元件的电子元件晶片上,并且 对应于在该半透明支撑基片至少一个表面上的电子元件,形成光学滤波 器,
其中光学滤波器是红外线截止滤波器,其包括通过交替地层压硅氧 化物膜和铌氧化物膜而制成的介电多层膜,以及
其中将其上形成有光学滤波器的半透明支撑基片与电子元件晶片 附着到一起以形成层压体,使得电子元件晶片的翘曲方向与半透明支撑 基片的翘曲方向是彼此反向的以减少电子元件晶片的翘曲。
2.一种电子元件晶片模块,其中用于覆盖和保护多个电子元件的半 透明支撑基片附着在其上形成有多个电子元件的电子元件晶片上,并且 对应于在该半透明支撑基片至少一个表面上的电子元件,形成光学滤波 器,
其中将其上形成有光学滤波器的半透明支撑基片与电子元件晶片 附着到一起以形成层压体,从而使得电子元件晶片的翘曲方向与半透明 支撑基片的翘曲方向是彼此反向的以减少电子元件晶片的翘曲。
3.根据权利要求2的电子元件晶片模块,其中光学滤波器是红外线 截止滤波器,其包括通过交替地层压硅氧化物膜和铌氧化物膜而制成的 介电多层膜。
4.根据权利要求1或2的电子元件晶片模块,其中沿着用于单独划 分多个电子元件模块的一部分或者全部划片线而移除光学滤波器。
5.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中光学低 通滤波器形成为光学滤波器。
6.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中以板的 形式、薄层的形式、膜的形式和分层的形式中的至少任一种而形成光学 滤波器。
7.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中半透明 支撑基片是由玻璃、晶体、铌酸锂、合成树脂和/或它们的组合而构造的。
8.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中光学滤 波器是红外线截止滤波器,其包括通过交替地层压硅氧化物膜和钛氧化 物膜而制成的介电多层膜。
9.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中光学滤 波器是红外线截止滤波器,其包括通过交替地层压硅氧化物膜和钽氧化 物膜而制成的介电多层膜。
10.根据权利要求1至2中任一项的电子元件晶片模块,其中,在电 子元件晶片中,为每个电子元件在前表面设置的布线部件或焊盘部件经 由通孔电极而电连接到后表面上的外部连接端子。
11.一种用于制造电子元件晶片模块的方法,包括:
光学滤波器形成步骤,形成红外线截止滤波器,其包括通过交替地 层压硅氧化物膜和铌氧化物膜而制成的介电多层膜;和
基片附着步骤,将其上形成有红外线截止滤波器的半透明支撑基片 附着在其上形成有多个电子元件的电子元件晶片上,
其中基片附着步骤将其上形成有光学滤波器的半透明支撑基片与 电子元件晶片附着到一起以形成层压体,使得电子元件晶片的翘曲方向 与半透明支撑基片的翘曲方向是彼此反向,以减少电子元件晶片的翘 曲。
12.一种用于制造电子元件晶片模块的方法,包括:
光学滤波器形成步骤,在透明支撑基片的至少一个表面上形成光学 滤波器;和
基片附着步骤,将其上形成有光学滤波器的半透明支撑基片与电子 元件晶片附着到一起,从而使得其上形成有多个电子元件的电子元件晶 片的翘曲方向和其上形成有光学滤波器的半透明支撑基片的翘曲方向 是彼此反向的以减少电子元件晶片的翘曲。
13.根据权利要求12中任一项的用于制造电子元件晶片模块的方 法,其中光学滤波器形成步骤形成作为光学滤波器的红外线截止滤波 器,其包括通过在透明支撑基片的至少一个表面上交替地层压硅氧化物 膜和铌氧化物膜而制成的介电多层膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的