[发明专利]浸没式光刻设备、干燥装置、浸没量测设备和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液体去除装置，具体地涉及一种能够用于或结合到光 刻设备或量测设备的液体去除装置，还涉及一种用于液体去除和器件制造 的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC 的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片) 上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图 案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层 上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网 络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机和所谓的扫描器。在步进机中， 通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分。在所 述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同 时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个 目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形 成装置将图案转移到衬底上。

已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体 (例如水)中，以便充满投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在实施 例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液 体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能 压缩的流体和/或具有比空气折射率高的折射率的流体，期望是具有比水的 折射率高的折射率。除气体以外的流体是尤其希望的。这样能够实现更小 特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响 也可以被看成提高系统的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提 出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有 纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的 颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他 可能合适的液体包括烃，例如芳香烃(例如萘烷)、氟化烃和/或水溶液。

将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利No. US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中需要加速很大体积的液体。这需要 额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能 预期的效果。

提出来的解决方法之一是液体处理系统，例如液体供给系统，用以通 过使用液体限制结构将液体仅提供到衬底的局部区域并且在投影系统的 最终元件和衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面 积)。提出来的一种用于设置上述解决方案的方法在公开号为WO99/49504 的PCT专利申请出版物中公开了。如图2和图3所示，液体优选地沿着衬 底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口IN供给到衬底上，并 且在已经通过投影系统下面之后，通过至少一个出口OUT去除。也就是 说，当衬底在所述元件下沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X一侧供 给并且在-X一侧去除。图2是所述配置的示意图，其中液体通过入口IN 供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口OUT去除。在图2中， 虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。 可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口。图3示出了一个 实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口 和出口。

在图4中示出了另一个采用局部液体供给系统的浸没式光刻方案。液 体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口IN供给，由设置在入口IN 沿径向向外的位置上的多个离散的出口OUT去除。所述入口IN和出口 OUT可以设置在板上，所述板在其中心有孔，带图案的束通过该孔投影。 液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口IN提供，而由位于投影 系统PS的另一侧上的多个离散的出口OUT去除，这造成投影系统PS和 衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口IN和出口OUT组合可以 依赖于衬底W的移动方向(另外的入口IN和出口OUT组合是不起作用 的)。