[发明专利]群集式工具的处理系统有效
申请号: | 200910142111.5 | 申请日: | 2006-01-06 |
公开(公告)号: | CN101577220A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 池田岳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;G05B19/418 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 群集 工具 处理 系统 | ||
1.一种群集式工具的被处理体的处理方法,是在搬送机构的周围 配置所述搬送机构能够访问的多个处理模块,通过所述搬送机构将一 群被处理体逐个依次搬送到所述多个处理模块,并对各被处理体实施 一系列处理的群集式工具的被处理体的处理方法,其特征在于:
所述搬送机构包括能够访问所述各处理模块并分别搬入搬出所述 被处理体的两个搬送臂,
对于所述多个处理模块,将一片被处理体滞留于模块内的滞留时 间与在该滞留的前后被该被处理体占用模块的功能的附带的忙碌时间 相加的模块周期时间设定为相同的长度,
所述搬送机构以与各被处理体循环一次相同的顺序巡回所述多个 处理模块,在对各个所述处理模块的访问中,由一个所述搬送臂搬出 处理完的被处理体并且与之交替地由另一个所述搬送臂搬入后续的另 一片被处理体,在搬送的顺序中处于前后的两个处理模块之间,与从 上游侧或上道工序侧的处理模块搬出处理完的第一被处理体的定时大 致同时或紧接其后,在下游侧或下道工序侧的处理模块中被处理体滞 留时间用完,搬出在下游侧或下道工序侧的处理模块中处理完的第二 被处理体,并与之交替地搬入第一被处理体,使得在所述各处理模块 中,1个处理模块中的所述各被处理体的处理以所述模块周期时间反复 进行。
2.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于:
所述附带的忙碌时间包括所述搬送机构将被处理体搬入各处理模 块所需的搬入时间,和所述搬送机构从各处理模块搬出被处理体所需 的搬出时间。
3.如权利要求2所述的处理方法,其特征在于:
在从各处理模块搬出被处理体之后立即在所述处理模块中进行后 处理、在该后处理中被处理体无法搬入的情况下,所述后处理所需的 时间包含于所述附带的忙碌时间。
4.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于:
以在所述多个处理模块中将一片被处理体的真实处理时间与所述 附带的忙碌时间相加的总所需时间最大的处理模块作为基准,将该最 大总所需时间取作所述模块周期时间。
5.如权利要求1~4中任一项所述的处理方法,其特征在于:
在所述多个处理模块中将一片被处理体的真实处理时间与所述附 带的忙碌时间相加的总所需时间短于所述模块周期时间的处理模块 中,搬入各被处理体之后经过等于所述模块周期时间与该总所需时间 之差的等待时间后开始处理。
6.如权利要求1~4中任一项所述的处理方法,其特征在于:
在所述多个处理模块中将一片被处理体的真实处理时间与所述附 带的忙碌时间相加的总所需时间短于所述模块周期时间的处理模块 中,在对各被处理体的处理结束之后经过等于所述模块周期时间与该 总所需时间之差的等待时间后搬出该被处理体。
7.如权利要求1~4中任一项所述的处理方法,其特征在于:
以所述搬送的顺序在空间上相邻地配置位于前后的处理模块。
8.如权利要求1~4中任一项所述的处理方法,其特征在于:
所述多个处理模块分别具有真空腔室,
所述搬送机构设置在真空搬送室内,
所述真空搬送室隔着门阀连接各个所述处理模块,
所述搬送机构在真空中搬送各被处理体。
9.如权利要求8所述的处理方法,其特征在于:
所述多个处理模块中的至少一个是在减压下在被处理体上形成薄 膜的成膜处理装置。
10.如权利要求8所述的处理方法,其特征在于:
所述搬送室隔着门阀连接装料闸模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造