[发明专利]一种基于电介质层的单银隔热膜无效
| 申请号： | 200910142373.1 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101905549A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王军生;童洪辉;戴彬;赵军;刘维;王珂;王志安 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/04;B32B27/06;B32B27/36;B32B7/02;B60J3/00;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 61004*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电介质 隔热 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于电介质层的单银隔热膜，其特征在于：PET基材(1)上依次镀制有电介质层(2)、银层(3)、保护层(4)、电介质层(5)，所述的PET基材(1)是厚度为23～36μm聚对苯二甲酸乙二醇酯基材，电介质层(2)是厚度为20～40nm的二氧化钛，银层(3)是厚度为10～15nm的银，保护层(4)是厚度为1～4nm的钛，电介质层(5)是厚度为20～40nm的二氧化钛。
2.按照权利要求1所述的一种基于电介质层的单银隔热膜，其特征在于：所述的银层(3)、保护层(4)均采用中频孪生靶反应磁控溅射方法镀制。
3.按照权利要求1所述的一种基于电介质层的单银隔热膜，其特征在于：所述的电介质层(2、5)均采用PEM控制的中频孪生靶反应磁控溅射方法镀制。
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