[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种包括DC-DC转换器的半导体器件，包括：

第一半导体芯片(5a)，其包括用于所述DC-DC转换器的高侧开关的第一场效应晶体管(Q1)，所述第一半导体芯片具有第一栅电极焊盘(BP3)、第一源电极焊盘(BP1)和第一漏电极；

第二半导体芯片(5b)，其包括用于所述DC-DC转换器的低侧开关的第二场效应晶体管(Q2)，所述第二半导体芯片具有第二栅电极焊盘(BP7)、第二源电极焊盘(BP5)和第二漏电极；

第三半导体芯片(5c)，其包括用于驱动所述第一场效应晶体管的第一驱动电路(3a)以及用于驱动所述第二场效应晶体管的第二驱动电路(3b)，所述第三半导体芯片具有第一电极焊盘(BP4)和第二电极焊盘；

树脂包封体(8)，其覆盖所述第一、第二和第三半导体芯片；以及

金属镀线(48a)，其与所述第一半导体芯片的第一源电极焊盘电连接且机械连接，

其中所述第三半导体芯片的第一电极焊盘与所述第一半导体芯片的第一栅电极焊盘电耦合，

其中所述第三半导体芯片的第二电极焊盘与所述第二半导体芯片的第二栅电极焊盘电耦合，以及

其中所述第一半导体芯片的第一源电极焊盘和所述第二半导体芯片的第二漏电极通过所述金属镀线而彼此电耦合。

2.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

第一电源端子(ET1)，其从所述树脂包封体露出并与所述第一半导体芯片的第一漏电极电耦合；

第二电源端子(ET4)，其从所述树脂包封体露出并与所述第二半导体芯片的第二源电极焊盘电耦合；以及

输出端子(ET5)，其从所述树脂包封体露出并与所述第一半导体芯片的第一源电极焊盘和所述第二半导体芯片的第二漏电极电耦合。

3.根据权利要求2的半导体器件，

其中所述树脂包封体具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面，以及

其中所述第一电源端子、所述第二电源端子和所述输出端子从所述树脂包封体的底表面露出。

4.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

第一导线(WR3b)，其将所述第三半导体芯片的第一电极焊盘电耦合到所述第一半导体芯片的第一栅电极焊盘；以及

第二导线(WR3d)，其将所述第三半导体芯片的第二电极焊盘电耦合到所述第二半导体芯片的第二栅电极焊盘，

其中所述金属镀线的宽度大于所述第一和第二导线的相应宽度。

5.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一半导体芯片在平面图上具有矩形形状，具有一对长边和一对短边；以及

其中所述金属镀线布置为使得在平面图上覆盖所述第一半导体芯片的一个长边。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中所述第一半导体芯片的所述一个长边布置成使得在所述第二半导体芯片与所述一个长边之间的最近距离小于在所述第二半导体芯片与另一长边之间的最近距离。

7.根据权利要求5的半导体器件，

其中所述第一源电极焊盘在平面图中形成矩形形状，具有一对长边和一对短边，以及

其中所述第一半导体芯片的长边平行于所述第一源电极焊盘的长边。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属镀线通过焊料连接到所述第一源电极焊盘。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属镀线包括铜。

10.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

第一导线，其将所述第三半导体芯片的第一电极焊盘电耦合到所述第一半导体芯片的第一栅电极焊盘；以及

第二导线，其将所述第三半导体芯片的第三电极焊盘电耦合到所述第二半导体芯片的第二栅电极焊盘，

其中所述第一和第二导线包括金。

11.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一栅电极焊盘、所述第一源电极焊盘、所述第二栅电极焊盘和所述第二源电极焊盘包括铝。

12.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一栅电极焊盘和所述第一源电极焊盘布置在所述第一半导体芯片的顶表面上，并且所述第一漏电极布置在所述第一半导体芯片的底表面上，所述顶表面与所述底表面相对。

13.根据权利要求12的半导体器件，其中所述第一和第二电极焊盘布置在所述第三半导体芯片的顶表面上。