[发明专利]确定衬底中的缺陷的方法和光刻工艺中曝光衬底的设备

权利要求书

1.一种确定衬底中的缺陷的方法，所述方法包括步骤：

用传感器扫描衬底的扫描范围，所述传感器将辐射束投影在所述衬底上；

测量沿所述扫描范围从不同衬底区域反射的辐射强度的一部份；

确定经过所述扫描范围的被测量的该部份的变化量；

由所述变化量确定在所述衬底上是否存在任何缺陷。

2.如权利要求1所述的方法，包括步骤：将所述变化量与阈值进行比较。

3.如权利要求2所述的方法，其中确定所述变化量的步骤包括：计算沿所述扫描范围的至少一部分所测量的所述辐射强度的变化量。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中确定所述变化量的步骤包括：

确定经过所述扫描范围的至少一部分的平均的辐射强度部份；

由所述平均的辐射强度部份确定辐射强度部份的偏差；和

使用所述偏差以确定是否存在任何缺陷。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述平均的辐射强度部份是基于在所述扫描范围的第一部分中测量的强度所确定的，而所述偏差是基于在所述扫描范围的不同的第二部分中测量的强度而被确定的。

6.如前面权利要求中任一项所述的方法，其中所述扫描范围的参考部分包括所述衬底的至少一个参考区域，并且所述扫描范围的测试部分包括衬底的至少一个潜在有缺陷的区域。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述区域的形状形成为同心的环，所述参考区域被限定为所述衬底的内环，而所述潜在有缺陷的区域被限定为所述衬底的外环。

8.如权利要求4所述的方法，其中确定所述部份的偏差的步骤包括：确定在所述扫描范围的所述第二部分中测量的所述部份和在所述扫描范围的所述第一部分中测量的所述部份之间的差。

9.如权利要求4到8中任一项所述的方法，其中确定缺陷的存在的步骤还包括：将所述偏差与针对所述偏差的阈值进行比较，以及确定所述偏差是否超过所述阈值。

10.如前面权利要求中任一项所述的方法，其中扫描所述衬底的步骤包括：通过提供所述传感器和所述衬底之间的相对移动沿所述扫描范围投影所述辐射束。

11.如前面权利要求中任一项所述的方法，其中测量所述强度的所述部份的步骤是在配置用于实施衬底曝光的光刻曝光设备的测量站中实施的。

12.如前面权利要求中任一项所述的方法，包括用配置成由被反射的辐射确定衬底表面的高度的传感器来实施沿扫描范围从不同衬底区域反射的辐射强度的所述部份的测量。

13.一种用于在光刻工艺中曝光衬底的设备，包括：

衬底台，其构造成保持衬底；

传感器，其配置并构造成将测量辐射束投影到所述衬底上，

控制器，其用于控制所述衬底台和所述传感器的相对位置，所述控制器构造成使所述传感器利用所述测量辐射束扫描衬底的扫描范围；

其中所述传感器配置并构造成测量沿所述扫描范围从不同的衬底区域反射的辐射强度的所述部份，和

其中，所述控制器构建成确定经过所述扫描范围的所述部份的变化量，并且由所述部份确定在所述衬底中是否存在任何缺陷。

14.如权利要求13所述的设备，其中所述传感器配置并构造成由所述被反射的辐射来确定布置在所述衬底台上的衬底表面的高度，以及其中所述控制器构建成将所述部份的所述变化量与阈值进行比较。

15.一种探测衬底中的缺陷的方法，包括步骤：

使用高度传感器在衬底的扫描范围上将辐射束投影到所述衬底上；

测量沿所述扫描范围从不同衬底区域反射的辐射的强度的一部份；

测量从所述扫描范围外部的参考区域反射的辐射的强度的一部份；

确定经过所述扫描范围的被测量部份和来自所述参考区域的被测量部份的变化量；和

由所述变化量来确定在所述衬底中是否存在任何缺陷，所述确定的步骤包括将来自所述扫描范围的所述变化量与来自所述参考区域的所述变化量进行比较。