[发明专利]闪存的统计跟踪有效
申请号: | 200910142622.7 | 申请日: | 2009-06-02 |
公开(公告)号: | CN101599303A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 吴子宁;杨雪石 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/28;G11C16/10 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋 鹤;南 霆 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 统计 跟踪 | ||
1.一种用于统计跟踪的系统,包括:
读取模块,该读取模块读取非易失性存储单元并且生成读取信号;
统计数据生成模块,该统计数据生成模块基于所述读取信号生成统计 数据,其中所述统计数据包括所述非易失性存储单元的每个电荷级别分布 的平均值和标准偏差;
最小均方模块,该最小均方模块基于(i)所述读取信号和延迟信 号之间的差异和(ii)一缩放因子,来生成用于对所述非易失性存储 单元编程的电荷级别分布的平均值,该缩放因子是基于由所述非易失 性存储单元的循环导致的电荷级别分布的变化而变化的;
存储模块,该存储模块存储所述统计数据,以及
其中,所述读取模块在所述循环之后基于所述非易失性存储单元的电 荷级别分布和所述统计数据来生成所述读取信号。
2.如权利要求1所述的系统,还包括更新模块,该更新模块基于所述 读取信号来更新所述存储模块中存储的统计数据。
3.如权利要求1所述的系统,其中,所述统计数据包括所述非易失性 存储单元的每个电荷级别分布的检测阈值和方差中的至少一种。
4.如权利要求1所述的系统,还包括更新模块,该更新模块基于读取 操作期间检测到的读取差错的数目和所述非易失性存储单元的编程操作的 数目中的至少一种,来有条件地更新所述存储模块中存储的统计数据。
5.如权利要求1所述的系统,其中,所述存储模块存储用于对所述非 易失性存储单元编程的电荷级别分布的所述平均值,并且所述系统还包括 更新模块,该更新模块基于所述统计数据来有条件地更新所述平均值。
6.如权利要求5所述的系统,还包括编程模块,该编程模块利用被所 述更新模块更新的平均值来对所述非易失性存储单元编程。
7.如权利要求1所述的系统,还包括编程模块,该编程模块对所述非 易失性存储单元编程,并且基于所述统计数据选择纠错码来对所述非易失 性存储单元编程。
8.如权利要求1所述的系统,其中,所述统计数据生成模块包括:
检测模块,该检测模块基于所述读取信号来生成数据;
信号重构模块,该信号重构模块基于所述数据来生成重构信号;
延迟缓冲器,该延迟缓冲器缓冲所述读取信号并且输出延迟的所述读 取信号;以及
差异模块,该差异模块生成所述重构信号和所述延迟的读取信号之间 的差异。
9.一种存储器集成电路,包括如权利要求1所述的系统,并且还包括 一存储阵列,该存储阵列包括所述非易失性存储单元。
10.如权利要求1所述的系统,还包括统计数据处理模块,该统计数 据处理模块利用维特比检测和迭代解码中的至少一种来对所述存储模块中 存储的统计数据进行处理。
11.一种用于统计跟踪的方法,包括:
通过读取非易失性存储单元生成读取信号;
基于所述读取来生成统计数据,其中所述统计数据包括所述非易失性 存储单元的每个电荷级别分布的平均值和标准偏差,以及其中生成所述统 计数据包括:
由最小均方模块基于(i)所述读取信号和延迟信号之间的差异和 (ii)一缩放因子,来生成用于对所述非易失性存储单元编程的电荷 级别分布的平均值,该缩放因子是基于由所述非易失性存储单元的循 环导致的电荷级别分布的变化而变化的;
存储所述统计数据;以及
在所述非易失性存储单元被读取时基于所述电荷级别分布和所述统计 数据来生成读取信号。
12.如权利要求11所述的方法,还包括基于所述读取信号来更新所述 统计数据。
13.如权利要求11所述的方法,还包括基于所述读取信号生成所述非 易失性存储单元的每个电荷级别分布的检测阈值和方差中的至少一种。
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